這是一個(gè)常用的NMOS低側(cè)開關(guān)，平時(shí)G極被電阻拉至GND電平，處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)...這是一個(gè)常用的NMOS低側(cè)開關(guān)，平時(shí)G極被電阻拉至GND電平，處于關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓高于GND時(shí)，MOS打開。
p溝道場(chǎng)效應(yīng)管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時(shí)，柵極和漏極間存在反向...p溝道場(chǎng)效應(yīng)管是由溝道、柵極和源、漏極組成。在工作時(shí)，柵極和漏極間存在反向電壓，形成了橫向電場(chǎng)，使溝道中的載流子移動(dòng)方式發(fā)生變化，進(jìn)而控制漏極與源極之間...
KIA50N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V...KIA50N06B，漏源電壓 Bvdss(v)：60，漏極電流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N溝道，封裝TO-220/252，應(yīng)用領(lǐng)域：電源適配器,開關(guān)電源,UPS電源,車載功放,...
MOS管屬于晶體管。晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)...MOS管屬于晶體管。晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶...
采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的...采用該封裝方式的MOSFET有3個(gè)電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。 其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出...
