光刻步驟類似于圖案繪制的過程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和...光刻步驟類似于圖案繪制的過程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和切割。利用光刻工藝，在想要切割的位置繪制圖案。
當(dāng)Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負(fù)電荷（空穴...當(dāng)Vg從0V開始上升的時候，p襯底中的多子空穴會被趕離柵區(qū)從而留下負(fù)電荷（空穴無法移動，實際上是電子的移動，電子從襯底被抽取上來，與p型半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)例如...
襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不...襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不為零的時候，所產(chǎn)生的一些效應(yīng)的統(tǒng)稱。
KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級...KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級的場效應(yīng)管型號，能夠高效提升電路品質(zhì)。
如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)...如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備...
