一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于...一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于V1、V2之和，而MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為導(dǎo)通狀態(tài)下的+V1和關(guān)斷狀態(tài)下的–V2（相對(duì)于M...
在開關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將...在開關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將導(dǎo)致一定的損耗，具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間（參見圖2）。目標(biāo)是要較大程度地減...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)...MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一...
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件...IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成非線性電容器。對(duì)柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通并允許電流在其漏極和源極端子之間流動(dòng)，而放電時(shí)，它會(huì)關(guān)閉器件，然后可能會(huì)在...
