影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計方面的，如材料、器件和工藝...影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計方面的，如材料、器件和工藝等的選取；有工藝方面的，如物理、化學(xué)等工藝的不穩(wěn)定性；也有使用方面的，如電、熱...
為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度...為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度以同樣的比例下降。對于0.1μm尺度的CMOS器件，柵氧化層厚度需達(dá)到3nm左右。對于超...
電子電路中常用的保護(hù)器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、...電子電路中常用的保護(hù)器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、半導(dǎo)體放電管等先進(jìn)的新型電子元器件。保護(hù)元器件，主要保護(hù)電子電路中的精密器件免...
瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形...瞬態(tài)電壓抑制二極管（Transient Voltage Suppressor）簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS 二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負(fù)12...
絕緣柵場效應(yīng)管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但應(yīng)用最多的是MOS管...絕緣柵場效應(yīng)管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管...
