柵極（Gate,G）：控制MOSFET導(dǎo)通或截止的引腳。在NMOS中，當(dāng)柵極電壓高于源極電...柵極（Gate,G）：控制MOSFET導(dǎo)通或截止的引腳。在NMOS中，當(dāng)柵極電壓高于源極電壓一定閾值（Vth）時(shí)，MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通；在PMOS中，則是當(dāng)柵極電壓低于源極電壓一定...
全橋逆變器使用四個(gè)開(kāi)關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管。和半橋相比，全橋的開(kāi)...全橋逆變器使用四個(gè)開(kāi)關(guān)管，而半橋逆變器使用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管。和半橋相比，全橋的開(kāi)關(guān)管數(shù)量增加了一倍，但是在相同的開(kāi)關(guān)電流下，全橋電路的輸出功率是半橋的兩倍。
如果沒(méi)有二極管，?當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會(huì)增加，?導(dǎo)致能量的不必...如果沒(méi)有二極管，?當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，?電容的放電路徑會(huì)增加，?導(dǎo)致能量的不必要損失，?降低電路效率。?二極管的加入有效地阻止了這種能量損失，?提高了電路的...
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值...nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。...
在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長(zhǎng)度降低到十幾納米，甚至幾納米量級(jí)時(shí)，晶體管出...在CMOS器件工藝中，當(dāng)導(dǎo)電溝道長(zhǎng)度降低到十幾納米，甚至幾納米量級(jí)時(shí)，晶體管出現(xiàn)一些效應(yīng)。這些效應(yīng)主要包括閾值電壓Vth隨著溝道長(zhǎng)度降低而降低，載流子表面散射...
