MOS管是單載流子（“多數(shù)載流子”）參與導(dǎo)電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET...MOS管是單載流子（“多數(shù)載流子”）參與導(dǎo)電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET中，當(dāng)施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，多數(shù)載流子（電子或空穴，取決于半導(dǎo)體類型）在半導(dǎo)體表面...
電壓比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，是將兩個(gè)輸入電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)...電壓比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路中，是將兩個(gè)輸入電壓進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果輸出相應(yīng)的電平。電壓比較器在各種電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用，如信號(hào)處理、...
并聯(lián)多個(gè)MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，...并聯(lián)多個(gè)MOSFET是一種常見的應(yīng)用方式，這種方法有助于減少傳導(dǎo)損耗并分散功耗，從而限制最大結(jié)溫。 當(dāng)多個(gè)MOSFET并聯(lián)時(shí)，由于每個(gè)器件的溫度系數(shù)是正的，即溫度升...
過電壓是指電路中電壓突然增加至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異...過電壓是指電路中電壓突然增加至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開關(guān)電路失效、電感和電容器反復(fù)開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的反向電壓等現(xiàn)象都會(huì)導(dǎo)致過電壓的產(chǎn)...
電流流動(dòng)方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動(dòng)方向。灌電流是從負(fù)載...電流流動(dòng)方向 灌電流和拉電流的最明顯區(qū)別在于電流的流動(dòng)方向。灌電流是從負(fù)載流向電源，而拉電流是從電源流向負(fù)載。
