300V MOS管選型-300V MOS管型號(hào)參數(shù)、封裝尺寸、價(jià)格等資料-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-09-05
型號(hào)命名：KNX9130A
工作方式：40A/300V
漏源電壓：300V
門(mén)-源電壓：±20V
連續(xù)漏電電流：40A
單脈沖雪崩能量:1250MJ
二極管峰值恢復(fù):5.0V/ns
漏源擊穿電壓:300V
輸入電容:3100pF
輸出電容:250pF
反向傳輸電容:80pF
RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V
專(zhuān)有的新平面技術(shù)
低柵電荷最小開(kāi)關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
1、不間斷電源
2、直流-直流變換器
3、電機(jī)控制
4、其他領(lǐng)域
深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。
KIA半導(dǎo)體也一直執(zhí)行全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開(kāi)始，一直貫徹到客戶使用的全過(guò)程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。
需要咨詢更多產(chǎn)品信息、價(jià)格、封裝等資料，請(qǐng)聯(lián)系我們，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
aID---漏極電流溫度系數(shù)
Vn---噪聲電壓
η---漏極效率（射頻功率管）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
VGu---柵襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VGD---柵漏電壓（直流）
VDS(sat)---漏源飽滿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
Tstg---貯成溫度
Tc---管殼溫度
Ta---環(huán)境溫度
Tjm---最大容許結(jié)溫
Tj---結(jié)溫
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
POUT---輸出功率
PIN--輸入功率
PDM---漏極最大容許耗散功率
PD---漏極耗散功率
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
rGS---柵源電阻
rGD---柵漏電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS---漏源電阻
Ls---源極電感
LD---漏極電感
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
Ku---傳輸系數(shù)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
gds---漏源電導(dǎo)
ggd---柵漏電導(dǎo)
GPD---共漏極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
Gp---功率增益
gfs---正向跨導(dǎo)
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
Iu---襯底電流
IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽滿電流
IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽滿電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IF---二極管正向電流
IGP---柵極峰值電流
IGM---柵極脈沖電流
IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGR---反向柵電流
IGF---正向柵電流
IG---柵極電流（直流）
IDS(sat)---溝道飽滿電流（漏源飽滿電流）
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDSM---最大漏源電流
IDS---漏源電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
ID(on)---通態(tài)漏極電流
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
Iar:雪崩電流
Ton:正導(dǎo)游通時(shí)刻.(根本能夠忽略不計(jì)).
Qrr :反向恢復(fù)充電電量.
Trr :反向恢復(fù)時(shí)刻.
VSD :正導(dǎo)游通壓降.
ISM:脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
IS :接連最大續(xù)流電流(從源極).
EAR:重復(fù)雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù),闡明 MOSFET 所能接受的最大雪崩擊穿能量.
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