【集成電路設計】MOS管的fT頻率分析-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2022-06-08
MOSFET的電流增益特征頻率fT,用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。
在MOS源極和漏極接交流地時,器件的小信號電流增益降至1的頻率稱為:“transit frequency”(fT)
MOS的小信號模型如下:
影響因素:
1) 增大Vgs可以增大FT
2) 減小溝道L會增大FT,所以使用工藝尺寸更小的MOS管,可以獲得更高的工作頻率。
3) 增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根)
4) FT隨著過驅動電壓而增加,但隨著垂直電場增強到一定程度,會導致遷移率明顯逐漸減小,而使FT-Vod曲線變平,不再是線性直線。
聯系方式:鄒先生
聯系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明:本網站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯系刪除。