Cadence仿真：MOS管參數(shù)名稱解析-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2022-10-09　

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Cadence仿真：MOS管參數(shù)名稱解析-KIA MOS管

Cadence仿真中，MOS管的參數(shù)很多，有些參數(shù)可以直接添加到計算器中，進行數(shù)據(jù)的計算。

type：MOS管類型，可能值為 n 或 p。

region：MOS管的工作區(qū)域，可能值為 0~4，分別對應(yīng)：0：關(guān)斷；1：線性區(qū)；2：飽和區(qū)；3：亞閾值區(qū)；4：擊穿

reversed：MOS管是否反向，可能值為 yes 或 no。

ids (A)：阻性漏源電流

lx4 (A)： ids 的別名，當(dāng) MOS管反向時有相反的符號。

lx50 (A)：襯源電流。

vgs / lx2 (V)：柵源電壓。

vds / lx3 (V)：漏源電壓。

vbs / lx1 (V)：襯源電壓。

vth (V)：有效閾值電壓。

lv9 (V)：vth 的別名。

vdsat (V)：漏源飽和電壓。

lv26 (V)：平帶電壓（Flat-band voltage）。

lv10 (V)：vdsat 的別名。

gm / lx7 (S)：共源跨導(dǎo)。

gds / lx8 (S)：共源輸出跨導(dǎo)。

gmbs / lx9 (S)：襯底跨導(dǎo)。

betaeff (A/V2)：有效 β 值。

cjd / lx29 (F)：漏區(qū)襯底結(jié)電容。

cjs / lx28 (F)：源區(qū)襯底結(jié)電容。

lx12 (Coul)：襯底電荷（Qb）

lx14 (Coul)：柵極電荷（Qg）

lx16 (Coul)：漏區(qū)電荷（Qd）

lx24 (Coul)：漏區(qū) PN 結(jié)電荷。

lx26 (Coul)：源區(qū) PN 結(jié)電荷。

cgg / lx18 (F)：dQg_dVg

cgd / lx19 (F)：dQg_dVd

cgs / lx20 (F)：dQg_dVs

cgb (F)：dQg_dVb

cdg / lx32 (F)：dQd_dVg

cdd / lx33 (F)：dQd_dVd

cds / lx34 (F)：dQd_dVs

cdb (F)：dQd_dVb

csg (F)：dQs_dVg

csd (F)：dQs_dVd

css (F)：dQs_dVs

csb (F)：dQs_dVb

cbg / lx21 (F)：dQb_dVg

cbd / lx22 (F)：dQb_dVd

cbs / lx23 (F)：dQb_dVs

cbb (F)：dQb_dVb

ron()：導(dǎo)通電阻。

id / i1 (A)：漏端電流。

is / i3 (A)：源端電流。

ibulk / i4 (A)：襯底電流。

lx5 (A)：源端 PN 結(jié)電流。

lx6 (A)：漏端 PN 結(jié)電流。

pwr (W)：處于工作點時的功耗。

gmoverid (1/V)：Gm/Ids

lv36 (F)：柵源交疊電容。

lv37 (F)：柵漏交疊電容。

lv38 (F)：柵襯底交疊電容。

lx10 (S)：漏區(qū)二極管跨導(dǎo)。

lx11 (S)：源區(qū)二極管跨導(dǎo)。

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MOS管參數(shù)