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MOSFET驅動參數:最小門極電阻計算-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-10-10 

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MOSFET驅動參數:最小門極電阻計算-KIA MOS管


在《IGBT以及MOSFET的驅動參數的計算方法》該應用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7,并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計算公式。


然而,該應用指南并未講述如何推導出 Eq.7,故寫此文列出推導過程,如下:


由 Eq.6 可知串聯 RLC 電路的特征方程為:

MOSFET 門極 電阻


特征根為:

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奈培頻率為:

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諧振頻率為:

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為了保證門極電流 i(t) 不振蕩,則電流響應應為過阻尼,既有:

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綜上所述,可得:

MOSFET 門極 電阻

至此,Eq.7 得證。



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