mos晶體管的溝道長(zhǎng)度影響 增加漏極-源極件電壓會(huì)受到什么影響呢
信息來(lái)源:本站 日期:2017-08-16
假如增大漏極—源極間電壓VDS,由于加在耗盡層上的電壓增加了,所以耗盡層長(zhǎng)度△L也增加。不過(guò)在L比△L大很多的狀況下,式(1.12)中的△L能夠疏忽不計(jì),于是就得到
這時(shí)漏極電流ID與漏極—源極間電壓VDS無(wú)關(guān),是根本不變的值,關(guān)于這個(gè)問(wèn)題可作如下了解。
由于夾斷點(diǎn)的電位總是VGS-VT,所以飽和區(qū)溝道的橫向電場(chǎng)E為:
VDS的增加也使耗盡層長(zhǎng)度△L延伸。假如溝道長(zhǎng)度L比△L大很多,AL能夠忽略不計(jì)時(shí),橫向電場(chǎng)F的大小就是:這時(shí)就與VDS無(wú)關(guān)。其結(jié)果,即便VDS增加,飽和區(qū)中的漏極電流ID也是一定的值。
在非飽和區(qū)中不產(chǎn)生夾斷點(diǎn)。由于從源區(qū)到漏區(qū)都構(gòu)成溝道,所以漏極—源極間電壓VDS是加在溝道長(zhǎng)度L上的。因而溝道中的橫向電場(chǎng)E與VDS成比例地增加:
所以漏極電流ID的增加與VDS成比例。
思索到溝道長(zhǎng)度調(diào)制,飽和區(qū)的漏極電流由下式給出:
△L與VDS的關(guān)系親密,假如令式(1.17)中的△L/L=λVDS,就得到該式中的λ叫做溝道長(zhǎng)度調(diào)制參數(shù),λ越大,表示溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越強(qiáng)。
為了抑止溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng),有效的方法是增大MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度L,使λ變小。
式(1.18)中,假如令VDS=-1/λ,則ID=0。