VMOS的串聯(lián)

串聯(lián)(SeriesConnection)是為理解決電壓規(guī)格不夠的問題，與VMOS的并聯(lián)相似，我們這里所說的電壓規(guī)格不夠用，指的是即使是采用多管電路拓?fù)湟搽y以滿足需求時，如全橋、三相全橋等電路拓?fù)洹ＥcVMOS并聯(lián)稍有不同的是，多電平變換應(yīng)該優(yōu)先于多管（模塊）的串聯(lián)應(yīng)用。

在買踐應(yīng)用上，串聯(lián)與并聯(lián)一樣會明顯降低功率開關(guān)的外關(guān)速度，使之適用的工作頻率明顯降低，以致于降低到IGBT也可以足以順應(yīng)的程度；同時高電壓規(guī)格的VMOS的飽和壓降會明顯升高，高于1000V時曾經(jīng)與IGBT相差無幾，到2000V左右時，IGBT在本身功耗方面曾經(jīng)有了優(yōu)勢。

因而，在工程應(yīng)用上，VMOS的串聯(lián)應(yīng)用并不多見，需求更高的電壓規(guī)格時，1GBT更有優(yōu)勢，目前的單管產(chǎn)品，VMOS產(chǎn)品適用的最高電壓根本上還彷徨在1000V左右，而IGBT產(chǎn)品適用的最高電壓規(guī)格，單管曾經(jīng)到達了2500～3300V，模塊產(chǎn)品曾經(jīng)到達了4500一6500V的程度。

除非是必需采用VMOS，同時又必需采用很高電源電壓時，才會用到VMOS的串聯(lián)，即使遇到這樣的問題，串聯(lián)也并不是首選的計劃，特別是用于工業(yè)化產(chǎn)品，首選的計劃應(yīng)該是尋覓替代計劃，如采用IGBT、基于VMOS的多電平變換等等。

萬不得已采用VMOS串聯(lián)時，首要的問題是驅(qū)動的隔離，除了信號通道需求隔離外，電源也需求隔離。

其次是均壓，與VMOS并聯(lián)時的均流相似，均壓是為了讓串聯(lián)的每一個功率開關(guān)接受近似相等的電壓，假如誤差比擬大，就需求增加串聯(lián)的功率開關(guān)的數(shù)量，增大電壓耐受量的裕量。換言之，兩個1000V電壓規(guī)格的VMOS串聯(lián)，理論上能夠視為2000V電壓規(guī)格的VMOS，為了保險起見，我們能夠?qū)⑵潆妷阂?guī)格定為isoov以至更低。這樣做的弊端是，串聯(lián)功率開關(guān)的本身功耗將明顯增加，緣由是我們?yōu)榱巳〉?000V電壓規(guī)格的功率開關(guān)，本來兩個串聯(lián)就能夠了，如今為了增加保險系數(shù)，就需求3個串聯(lián)。

串聯(lián)需求思索的要素與并聯(lián)大同小異，額外需求思索的要素是突波吸收電路的參數(shù)需求停止挑選，由于它們還同時擔(dān)當(dāng)著動態(tài)均壓的任務(wù)。所謂動態(tài)均壓，就是功率開關(guān)高速開關(guān)條件下的均壓，與此相對應(yīng)，功率開關(guān)出于穩(wěn)定關(guān)斷狀態(tài)時的均壓通常稱為靜態(tài)均壓，普通用電阻來完成。

由于VMOS的串聯(lián)很少有實踐應(yīng)用，這里只給出一個2管串聯(lián)的表示圖（圖5.88）。至于信號隔離器件的選擇，視開關(guān)速度和隔離電壓的上下而定，光耦有利于進步開關(guān)速度，變壓器有利于進步隔離電壓等級并且高壓側(cè)的驅(qū)動局部能夠自供電，但是主要適用于低速應(yīng)用。

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