7n65場效應管參數代換,7n65參數管腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-12
功率MOSFET采用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產。這項先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：7.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：230mJ
耗散功率：147W
漏源擊穿電壓：650V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1000 PF
輸出電容：110 PF
上升時間：50 ns
KIA7N65H是一款高性能場效應管，具有出色的性能和可靠性，漏極電流7A，漏源擊穿電壓高達650V，導通電阻僅為1.2Ω，在10V的柵極電壓下能夠提供穩定的性能；能夠替代仙童等品牌7n65型號進行使用。
7n65具有低柵極電荷，高堅固性和快速切換特性，確保了其在工作過程中的穩定性和可靠性；經過100%的雪崩測試，確保了其質量和安全性；改進的dv/dt能力使其更加適用于高頻率的應用領域。封裝形式有TO-220、TO-220F和TO-263，可以滿足不同場合的需求。廣泛應用于開關電源和LED驅動等領域，為電子設備的穩定運行提供了強大的支持。
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