?80n120參數(shù),KSZ080N120A中文資料,充電樁MOS管??-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-27
碳化硅MOS管KSZ080N120A參數(shù)：28A，1200V；RDS（ON）僅為80mΩ，在VGS為20V，TJ為25°C時達到典型值，具有低導通電阻和高阻斷電壓的特點；在低電容條件下能實現(xiàn)高速開關；具備強大的雪崩強度，可應用于太陽能逆變器、開關模式電源、高壓DC-DC轉換器以及電池充電器等領域。
碳化硅MOS管KSZ080N120A的低導通電阻和高阻斷電壓特性，能夠減小功率損耗，在高壓轉換和開關過程中的響應速度快，能夠實現(xiàn)高頻率的高速開關，可以有效提高電路的效率和性能，使得電源系統(tǒng)在工作過程中更加穩(wěn)定可靠。
漏源電壓：1200V
漏極電流：28A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：80mΩ
柵源電壓：-5/+20V
脈沖漏電流：60A
雪崩能量單脈沖：720MJ
最大功耗：166W
輸入電容：2025PF
輸出電容：71.9PF
總柵極電荷：86nC
開通延遲時間：22nS
關斷延遲時間：18nS
上升時間：62ns
下降時間：12ns
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