場效應管6035參數,大功率350V,開關電源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-19
KIA6035A功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。這項先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適合高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V，漏極電流可達11A，適用于各種高壓應用場合，RDS（ON）僅為0.38Ω，在10V的VGS下表現出色、低柵極電荷，僅為15nC，有助于提高開關速度和效率、高堅固性和快速切換能力，能夠在各種惡劣環境下穩定工作、還具有指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，確保在高壓和高頻率下依然可靠穩定，為電路設計提供穩定可靠的支持。KIA6035A封裝形式：TO-252、TO-220。
漏源電壓：350V
漏極電流：11A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.38Ω
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：36A
雪崩能量單脈沖：423MJ
最大功耗：99W
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
總柵極電荷：15nC
開通延遲時間：25nS
關斷延遲時間：77nS
上升時間：23.5ns
下降時間：47.5ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
