9150mos管,40a500v場效應(yīng)管,KNH9150B參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-29
KNH9150B場效應(yīng)管漏極電流40A，漏源擊穿電壓為500V，采用高級平面條紋DMOS技術(shù)，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 87mΩ，最大限度地減少開關(guān)損耗，低柵極電荷（典型值為117nC)、低跨導(dǎo)（典型值為8.6pF)，高效低耗；快速開關(guān)、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠；封裝形式：TO-3P，散熱良好。
漏源電壓：500V
漏極電流：40A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：160A
雪崩能量單脈沖：740MJ
最大功耗：543W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：119nC
輸入電容：6965PF
輸出電容：9PF
反向傳輸電容：680PF
開通延遲時間：50nS
關(guān)斷延遲時間：215nS
上升時間：68ns
下降時間：30ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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