20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF 20N50參數詳細資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-01-19
KIA20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。
產品型號：KIA 20N50
漏極至源極電壓（VDSS）：500V
柵源電壓（VGSS）：±30V
漏極電流 （連續）（lD）：20A
耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃
工作溫度：+150/℃
擊穿電壓溫度：0.5V/℃
輸入電容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz
上升時間：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω
封裝形式：TO-220F、TO-247、TO-3P
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v
Lowgate charge ( typical 70nC)
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
 |
20N50（20A 500V） |
| 產品編號 | KIA20N50/C/HF/HH/HM |
| 產品工藝 |
kia20n50h N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正。 |
| 溝道 | N溝道MOSFET |
| 特征 |
RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于高電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源功率因數校正 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| LOGO |
 |
| 網址 | www.enlve.com |
| PDF總頁數 | 總5頁數 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
相關搜索：
