100N03A參數(shù)概述

KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)的阻力，提供優(yōu)越的。

開(kāi)關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓?fù)洹?/span>

特征：

RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V

dv / dt的能力提高

快速開(kāi)關(guān)

綠色環(huán)保

參數(shù)：

漏源電壓(vdss):30V

柵源電壓（vgss)：±20V

連續(xù)漏電流：（ld）：90A

脈沖漏極電流：360A

雪崩電流：50A

雪崩能量：125mJ

耗散功率（pd）：88W

熱電阻：60℃/W

漏源擊穿電壓：30V

柵極閾值電壓（min）：1.2V

溫度系數(shù)：-5mV/℃

	KIA100N03A(90A 30V)
產(chǎn)品編號(hào)	100N03A/AB/AD/AP/AU
產(chǎn)品工藝	KIA100N03A 是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)的阻力，提供優(yōu)越的。
產(chǎn)品特征	RDS(on) =3.1m?@ VGS=10V dv / dt的能力提高快速開(kāi)關(guān) 綠色環(huán)保
適用范圍	適用于高效率開(kāi)關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲
封裝形式	TO-251、TO-252、TO-263、TO-220
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.enlve.com
PDF總頁(yè)數(shù)	總5頁(yè)