KCM3650參數(shù)

高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應用程序，這些設備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。

KCM3650特征

強大的高壓終止

雪崩能量

源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點是用于橋式電路

IDSS和VDS（上）指定高溫

隔離安裝孔減少安裝硬件

KCM3650參數(shù)指標

產(chǎn)品型號：KIA3650

工作方式：60A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：60A

脈沖漏極電流：180A

雪崩能量：1280mJ

耗散功率：54W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：3180 PF

輸出電容:4400 PF

上升時間：52 ns

封裝形式：TO-220F、TO-247

	KCM3650（60A 500V）
產(chǎn)品編號	KCM3650A
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節(jié)能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關(guān)電源，轉(zhuǎn)換器和PWM電機控制中的應用程序。
產(chǎn)品特征	強大的高壓終止雪崩能量源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管二極管的特點是用于橋式電路 IDSS和VDS（上）指定高溫隔離安裝孔減少安裝硬件
適用范圍	主要適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區(qū)域。關(guān)鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.enlve.com
PDF頁總數(shù)	總5頁