KIA18N20 N溝道 MOSFET 18A /200V TO-220、TO-220F封裝最新規格
信息來源：本站 日期：2018-02-08
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V
通過無鉛認證
低電阻
低柵極電荷
峰值電流與脈寬曲線
應用
電視/顯示器
其他應用
KIA18N20參數
產品型號：KIA18N20
工作方式：18A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：18A
脈沖漏極電流：6A
雪崩電流：8A
雪崩能量：950mJ
耗散功率：156W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：200V
溫度系數：0.25V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1140PF
輸出電容：80PF
上升時間：33 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
 |
KIA18N20/AF/AP |
| 產品編號 | KIA18N20（18A200V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品特征 |
RDS(ON)=0.12Ω (Max.) @VGS=10V 通過無鉛認證 低電阻 低柵極電荷 峰值電流與脈寬曲線 |
| 適用范圍 |
主要適用于電視/顯示器、其他應用 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.enlve.com |
| PDF頁總數 | 總6頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”。
長按二維碼識別關注
