KIA28N50參數(shù)指標

這是功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲。

KIA28N50特征

RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷（典型的102nc）

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

KIA28N50參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA28N50

工作方式：28A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：28A

脈沖漏極電流：112A

雪崩能量：1960mJ

耗散功率：479W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：4085 PF

輸出電容：474 PF

上升時間：87ns

封裝形式：TO-3P

	KIA28N50
產(chǎn)品編號	KIA28N50（28A500V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征	RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的102nc）快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關電源，有源功率因數(shù)校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式	TO-3P
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	www.enlve.com
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