KND4820B現貨供應商 KND4820B PDF文件下載 9A 200V參數資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-03-08
1、應用
KND4820B通道增強型硅柵功率MOSFET的高電壓設計，高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。
2、特征
專有的新平面技術
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低門電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
3、產品參數
產品型號：KND4820B
工作方式：9A/200V
漏源電壓：200V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：9.0A
脈沖漏極電流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
熱電阻：75℃/W
漏源擊穿電壓：200V
柵極閾值電壓：1.0V
輸入電容：418PF
輸出電容：94PF
上升時間：6.0ns
封裝形式：TO-251、TO-252
4、產品規格
 |
KND4820B |
| 產品編號 | KND4820B 9A/200V |
| 產品特征 |
專有的新平面技術 RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v 低門電荷最小化開關損耗 快速恢復體二極管 |
| 適用范圍 |
高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源基于半橋拓撲結構的功率因數校正電子鎮流器。 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | www.enlve.com |
| PDF總頁數 | 總8頁 |
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聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
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