場效應管參數手冊大全-場效應管型號用途參數查詢手冊-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-06-28
型號
封裝
材料
用途
參數
KIA9N90H
TO-247
NMOS
逆變器
9A/900V
KIA9N90H
TO-220F
NMOS
安定器
9A/900V
KIA6110A
TO-251
NMOS
開關電源
12A/100V
KIA100N03A
TO-263
NMOS
保護器
90A/30V
KIA10N80H
TO-220F
NMOS
逆變器
10A/80V
KIA4N60H
TO-220F
NMOS
逆變器
4A/600V
KIA4N60H
TO-262
NMOS
充電器
4A/600V
KIA13N50H
TO-263
NMOS
開關電源
13A/500V
KIA24N50H
TO-3P
NMOS
逆變器
20A /500V
KIA1N65H
TO-251
NMOS
開關電源
2A/600V
KIA20N50H
TO-220F
NMOS
逆變器
20A/500V
KIA2N60H
TO-251
NMOS
開關電源
20A/600V
KIA2N65H
TO-251
NMOS
開關電源
2A/650V
KIA28N50H
TO-3P
NMOS
開關電源
28A/500V
KIA75NF75
TO-263
NMOS
電動車
75A/75V
KIA2803A
TO-263
NMOS
保護器
150A/30V
KIA1N60H
TO-251
NMOS
開關電源
1A/600V
KIA4360A
TO-252
NMOS
開關電源
4A/650V
KIA16N50H
TO-247
NMOS
開關電源
16A/500V
KIA2N60H
TO-220F
NMOS
開關電源
2A/600V
KIA3N80H
TO-220F
NMOS
開關電源
3A/800V
KIA10N60H
TO-220F
NMOS
開關電源
9.5A/600V
KIA23P10A
TO-252
PMOS
報警器
-23A/-100V
KIA40N20A
TO-3P
NMOS
逆變器
40A /200V
KIA2806A
TO-3P
NMOS
逆變器
160A/60V
KIA4N60H
TO-251
NMOS
開關電源
4A/600V
KIA4N65H
TO-251
NMOS
開關電源
4A /650V
KIA20N40H
TO-3P
NMOS
逆變器
20A/400V
KIA18N20A
TO-220F
NMOS
開關電源
18A/200V
KIA9N90H
TO-3P
NMOS
逆變器
9A/900V
KIA10N80H
TO-3P
NMOS
逆變器
50A/60V
KIA16N50H
TO-3P
NMOS
開關電源
16A/500V
KIA50N06
TO-220F
NMOS
逆變器
50A/60V
KIA1N60H
TO-252
NMOS
開關電源
1A/600V
KIA5N50HD
TO-252
NMOS
安定器
5A/500V
KIA830S
TO-252
NMOS
安定器
5A/550V
KIA18N50H
TO-247
NMOS
逆變器
18A/500V
KIA24N50H
TO-247
NMOS
逆變器
24A/500V
KIA28N50H
TO-247
NMOS
逆變器
28A/500V
KIA4N60H
TO-252
NMOS
開關電源
4A/600V
KIA3510A
TO-263
NMOS
安定器
75A /100V
KIA35P10A
TO-252
PMOS
報警器
-35A/-100V
KIA7N60H
TO-263
NMOS
開關電源
7A/600V
KIA7N65H
TO-263
NMOS
開關電源
7A/650V
KIA840S
TO-263
NMOS
安定器
8A/500V
KIA4750S
TO-252
NMOS
安定器
9A/500V
KIA20N50H
TO-3P
NMOS
開關電源
20A/500V
KIA28N50H
TO-247
NMOS
逆變器
28A/500V
1、負載電流IL
它直接決議于MOSFET的輸出才能；
2、輸入—輸出電壓
它受MOSFET負載占空比才能限制；
3、MOS開關頻率FS
這個參數影響MOSFET開關霎時的耗散功率；
4、MOSFET最大允許工作溫度
要滿足系統指定的牢靠性目的;
一旦系統的工作條件（負載電流，開關頻率，輸出電壓等）被肯定，功率MOSFET在參數方面的選擇如下：
1 、RDSON的值
最低的導通電阻，能夠減小損耗，并讓系統較好的工作。但是，較低電阻的MOSFET較高電阻器件。
2、 散熱
假如空間足夠大，能夠起到外部散熱效果，就能夠以較低本錢取得與較低RDSON一樣的效果。也能夠運用外表貼裝MOSFET到達同樣效果，詳見下文第15行。
3 、MOSFET組合
假如板上空間允許，有時分，能夠用兩個較高RDSON的器件并聯，以取得相同的工作溫度，并且本錢較低。
1.夾斷電壓Up
在UDS為某一固定值的條件下，使ID等于一個微小電流值(幾微安)時，柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結型場效應管及耗盡型絕緣柵型場效應管。
2. 開啟電壓UT
在UDS為某一固定值的條件下，使S 極與D 極之間形成導電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強型絕緣柵型場效應管。
3. 飽和電流IDSS
在UDS =0的條件下，漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時的溝道電流稱為飽和電流，它適用于耗盡型絕緣柵型場效應管。
4. 直流輸入電阻RGS
在場效應管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs 與流過的柵極電流之比，稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻比結型場效應管大兩個數量級以上。結型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω，而絕緣柵型場效應管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源擊穿電壓BVDS
在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值，稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場效應管的使用電壓。
6. 柵源擊穿電壓BVGS
對結型場效應管來說，反向飽和電流開始劇增時的UGS值，即為柵游、擊穿電壓。對于絕緣柵型場效應管來說，它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。
1、極限參數
ID :最大漏源電流.是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過 ID .此參數會隨結溫度的上升而有所減額.
IDM :最大脈沖漏源電流.體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系，此參數會隨結溫度的上升而有所減額.
PD :最大耗散功率.是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量.此參數一般會隨結溫度的上升而有所減額.（此參數靠不住）
VGS :最大柵源電壓.，一般為：-20V~+20V
Tj :最大工作結溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度,并留有一定裕量. （此參數靠不住）
TSTG :存儲溫度范圍。
2、靜態參數
V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數,加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它具有正溫度特性.故應以此參數在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負壓更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數,一般為 0.1V/ ℃.
RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V )、結溫及漏極電流的條件下, MOSFET 導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數,決定了 MOSFET 導通時的消耗功率.此參數一般會隨結溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應以此參數在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算.
VGS(th) :開啟電壓(閥值電壓).當外加柵極控制電壓 VGS超過 VGS(th) 時,漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道.應用中,常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓.此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低.
IDSS :飽和漏源電流,柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時的漏源電流.一般在微安級.
IGSS :柵源驅動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大,IGSS 一般在納安級.
常用場效應管參數手冊大全
Cds---漏-源電容
Cdu---漏-襯底電容
Cgd---柵-源電容
Cgs---漏-源電容
Ciss---柵短路共源輸入電容
Coss---柵短路共源輸出電容
Crss---柵短路共源反向傳輸電容
D---占空比（占空系數，外電路參數） di/dt---電流上升率（外電路參數） dv/dt---電壓上升率（外電路參數） ID---漏極電流（直流）
IDM---漏極脈沖電流
ID(on)---通態漏極電流
IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管） IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流） IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開路時，截止柵電流
IGSO---漏極開路時，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時截止柵電流
IDSS1---對管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數） gfs---正向跨導
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導
gds---漏源電導
K---失調電壓溫度系數
Ku---傳輸系數
L---負載電感（外電路參數）
rDS(on)---漏源通態電阻
rDS(of)---漏源斷態電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數） RL---負載電阻（外電路參數）
R(th)jc---結殼熱阻
R(th)ja---結環熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數） to(on)---開通延遲時間
td(off)---關斷延遲時間
ti---上升時間
ton---開通時間
toff---關斷時間
tf---下降時間
trr---反向恢復時間
Tj---結溫
Tjm---最大允許結溫
Ta---環境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VDS---漏源電壓（直流）
VGS---柵源電壓（直流）
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數） VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數） Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數） VGS(th)---開啟電壓或閥電壓
V（BR）DSS---漏源擊穿電壓
V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅動源內阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數
ards---漏源電阻溫度系數
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
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