我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的...我們知道采用PNP管子作為開關(guān)管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控制電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(huì)導(dǎo)致由此供電的芯片...
MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高耐壓的器件主要應(yīng)用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁，光...超高耐壓的器件主要應(yīng)用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅(qū)動(dòng)電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。 國內(nèi)專注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠家KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KN...
MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導(dǎo)通時(shí)，Rds會(huì)從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級(jí)或者更低)。柵極電阻過大時(shí)，MOS管導(dǎo)通速度過慢，即Rds的減小要經(jīng)過一段時(shí)間，高壓時(shí)Rds會(huì)消耗大量功率，導(dǎo)...
KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET；12N65參數(shù)650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效...KIA12N65H N溝道增強(qiáng)型MOSFET；12N65參數(shù)650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書12N65引腳圖
這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)...這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過了特別的調(diào)整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并...
