RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開(kāi)關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過(guò)，必須確保每次元件Turn ON 時(shí)CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率變高時(shí)，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)...半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)計(jì)方法說(shuō)明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時(shí)流過(guò)的電流的能量?jī)?chǔ)存在線路...
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即...對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過(guò)之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過(guò)之后就會(huì)產(chǎn)生功率損耗，一般用RDS(ON)來(lái)表示，傳導(dǎo)損耗一般來(lái)說(shuō)和MOS的大小成反比，體積越大，其導(dǎo)通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開(kāi)通過(guò)程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開(kāi)通過(guò)程會(huì)在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過(guò)米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流，從而在門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻和寄生...
通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減...通過(guò)調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來(lái)調(diào)整 MOSFET 的開(kāi)通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來(lái)減慢MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門(mén)極電壓尖峰。
