XFG1信號(hào)發(fā)生器高電平時(shí)，Q2導(dǎo)通，由于Q2導(dǎo)通，給Q1的b極提供回路，Q1導(dǎo)通，經(jīng)...XFG1信號(hào)發(fā)生器高電平時(shí)，Q2導(dǎo)通，由于Q2導(dǎo)通，給Q1的b極提供回路，Q1導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)D2和R2給MOS進(jìn)行充電（Q4的b極是高電平，因?yàn)镽3流過(guò)電流形成壓降，所以Q4也是關(guān)閉...
以24V直流電機(jī)為例，在電機(jī)兩端接上24V的直流電源，電機(jī)會(huì)以滿(mǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)，如果將2...以24V直流電機(jī)為例，在電機(jī)兩端接上24V的直流電源，電機(jī)會(huì)以滿(mǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)，如果將24V電壓降至2/3即16V，那么電機(jī)就會(huì)以滿(mǎn)速的2/3轉(zhuǎn)速運(yùn)轉(zhuǎn)。由此可知，想要調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)...
阻抗匹配是指信號(hào)源或者傳輸線(xiàn)跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配。阻抗匹配主要有兩...阻抗匹配是指信號(hào)源或者傳輸線(xiàn)跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配。阻抗匹配主要有兩點(diǎn)作用，調(diào)整負(fù)載功率和抑制信號(hào)反射。
其負(fù)載電流的變化在電阻負(fù)載下是與電壓同相位的，但若是阻感負(fù)載，電流的基波滯...其負(fù)載電流的變化在電阻負(fù)載下是與電壓同相位的，但若是阻感負(fù)載，電流的基波滯后于電壓的基波并且因?yàn)樨?fù)載電感的存在，其負(fù)載電流的變化不是瞬時(shí)的，而是一個(gè)逐漸...
在0～t1期間，VT1、VT4的基極控制脈沖都為高電平，VT1、VT4都導(dǎo)通，A點(diǎn)通過(guò)VT1...在0～t1期間，VT1、VT4的基極控制脈沖都為高電平，VT1、VT4都導(dǎo)通，A點(diǎn)通過(guò)VT1與Ud正端連接，B點(diǎn)通過(guò)VT4與Ud負(fù)端連接，故R、L兩端的電壓Uo大小與Ud相等，極性為左...
本設(shè)計(jì)電路中，D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見(jiàn)的Boost升壓電路，會(huì)在芯片8腳（...本設(shè)計(jì)電路中，D3和C5會(huì)和負(fù)載共同構(gòu)成一個(gè)常見(jiàn)的Boost升壓電路，會(huì)在芯片8腳（也就是VB腳）上產(chǎn)生一個(gè)較高的電壓，從而成功驅(qū)動(dòng)MOS管開(kāi)閉。C5升壓就需要IR2101先...
