隨著MOSFET尺寸的縮小，特別是溝道長度的縮短，短溝道效應變得顯著。這種效應包...隨著MOSFET尺寸的縮小，特別是溝道長度的縮短，短溝道效應變得顯著。這種效應包括直接隧穿、熱載流子注入等，它們會改變溝道中的電荷分布和電場分布，進而影響閾值...
鋰電池保護板專用MOS管KCB3008A漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的S...鋰電池保護板專用MOS管KCB3008A漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關損耗，提高效率；優(yōu)秀的...
DC-DC轉(zhuǎn)換器利用電容和電感的儲能特性，通過可控開關（如MOSFET）進行高頻開關...DC-DC轉(zhuǎn)換器利用電容和電感的儲能特性，通過可控開關（如MOSFET）進行高頻開關動作，將輸入的電能儲存在電容（或電感）中，當開關斷開時，電能再釋放給負載，提供...
電阻的符號是R，這是物理學中用于表示電阻器或電阻值的標準符號。電阻是導體對...電阻的符號是R，這是物理學中用于表示電阻器或電阻值的標準符號。電阻是導體對電流阻礙作用的物理量，其國際單位是歐姆，符號為Ω。
KNH9130B場效應管采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導...KNH9130B場效應管采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導通電阻RDS(開啟) 0.12Ω；具有低柵極電荷、快速恢復體二極管等特性，能夠在短時間內(nèi)...
當S1吹風檔位打到下面，S2不開啟時，220V通過D1的整流變成半波，然后半波經(jīng)過D...當S1吹風檔位打到下面，S2不開啟時，220V通過D1的整流變成半波，然后半波經(jīng)過D3Q給電機B1和LED進行供電后流出D3進入R6發(fā)熱絲，最后回流到P1電源座子。
