600v碳化硅二極管的產(chǎn)品特點，KIA半導(dǎo)體設(shè)計生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)...600v碳化硅二極管的產(chǎn)品特點，KIA半導(dǎo)體設(shè)計生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間、溫度對于開關(guān)行為的影響較小、標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍為-55℃到175℃，這樣更穩(wěn)定，...
600v碳化硅二極管的產(chǎn)品特點，KIA半導(dǎo)體設(shè)計生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)...600v碳化硅二極管的產(chǎn)品特點，KIA半導(dǎo)體設(shè)計生產(chǎn)的碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間、溫度對于開關(guān)行為的影響較小、標(biāo)準(zhǔn)工作溫度范圍為-55℃到175℃，大大降低散熱...
MOS場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)，MOS場效應(yīng)三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）...MOS場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)，MOS場效應(yīng)三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖。其中...
MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種...MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強型MO...
P溝道MOS管，P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電...P溝道MOS管，P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管...
PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。PMOS晶體管的空穴遷移...PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。PMOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小...
