DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個柵極都可以對溝道進行控制，目的是為了控制的便利性與獨立性，尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)（圖1.24）。就PN結(jié)的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
認(rèn)識電路中的VMOS，辨別引腳符號認(rèn)識電路中的VMOS，辨別引腳符號
?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所...?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu)，所不同是，在常態(tài)下，它內(nèi)部的（導(dǎo)電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)下的耗盡型MOSFET是...
在常態(tài)下，MOSFET中并沒有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時，在電場的作用下，源極（...在常態(tài)下，MOSFET中并沒有導(dǎo)電通道，在有了偏置電壓時，在電場的作用下，源極（區(qū)）與柵極（區(qū)）之間就會形成導(dǎo)電通道，并且隨著偏置電壓的增加而加寬，導(dǎo)電能力增...
