DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個...DGMOSFET(Dual gate MOSFET,雙柵極MOSFET)是一種有兩個柵極的四端器件,兩個柵極都可以對溝道進行控制,目的是為了控制的便利性與獨立性,尤其是有兩個控制量的...
MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結(jié)構(gòu)(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求,MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結(jié)構(gòu)(圖1.24)。就PN結(jié)的特性而言,與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET,垂直溝道,雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
認(rèn)識電路中的VMOS,辨別引腳符號認(rèn)識電路中的VMOS,辨別引腳符號
?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu),所...?耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)構(gòu),所不同是,在常態(tài)下,它內(nèi)部的(導(dǎo)電)溝道是天生的。換言之,常態(tài)下的耗盡型MOSFET是...
在常態(tài)下,MOSFET中并沒有導(dǎo)電通道,在有了偏置電壓時,在電場的作用下,源極(...在常態(tài)下,MOSFET中并沒有導(dǎo)電通道,在有了偏置電壓時,在電場的作用下,源極(區(qū))與柵極(區(qū))之間就會形成導(dǎo)電通道,并且隨著偏置電壓的增加而加寬,導(dǎo)電能力增...