與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些...與MOSFET相關(guān)的三個(gè)電容的基本定義如圖1a和1b所示。以VDS的函數(shù)的方式測(cè)量這些電容并不是一件直截了當(dāng)?shù)墓ぷ鳎诖诉^(guò)程中需要它們中的某些被短路或開(kāi)路（left flo...
圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)...圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。其中一路直接接到下管，另外一路經(jīng)反向器反向后驅(qū)動(dòng)上管。RP1，RP2用于調(diào)節(jié)死區(qū)...
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時(shí)您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提...P溝道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V產(chǎn)品描述 KIA7P03A是高密度溝槽p-CH MOSFET，提供出色的導(dǎo)通電阻和大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的柵極電荷。
反激電源是最常用的拓?fù)渲弧Ｆ渥儔浩髀└谐?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MO...反激電源是最常用的拓?fù)渲弧Ｆ渥儔浩髀└谐?huì)引起原邊振鈴，并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。
數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的...數(shù)據(jù)表中，功率MOSFET有不同的熱阻值，數(shù)據(jù)表中的熱阻都是在一定的條件下測(cè)試的。MOSFET反并聯(lián)二極管相當(dāng)于一個(gè)溫度傳感器，一定的溫度對(duì)應(yīng)著一定的二極管的壓降。...
