50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色...50A60V內(nèi)阻低 MOS管KIA50N06產(chǎn)品特征 RDS(on) =10.5m@ VGS =10V 提供無鉛綠色設(shè)備 低Rds開啟，可將傳導(dǎo)損耗降至最低 高雪崩電流
柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當(dāng)MOSFET開...柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。當(dāng)MOSFET開關(guān)時，電源IC的柵極驅(qū)動器向MOSFET的寄生電容充電（向柵極注入電荷）而產(chǎn)生這種損耗...
KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)...KND3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可...
電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計中非常常見，因為做電路設(shè)計很多時候就像在搭積木，這個電路...電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計中非常常見，因為做電路設(shè)計很多時候就像在搭積木，這個電路模塊，加上那個電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會...
MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系，使用者無法降低Cin，但可降低驅(qū)動電路...MOSFET的開關(guān)速度和Cin充放電有很大關(guān)系，使用者無法降低Cin，但可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻Rs減小時間常數(shù)，加快開關(guān)速度，MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而...
MOS管最大持續(xù)電流=MOS耐電壓/MOS內(nèi)阻值。 該額定電流應(yīng)為負(fù)載在所有條件下可...MOS管最大持續(xù)電流=MOS耐電壓/MOS內(nèi)阻值。 該額定電流應(yīng)為負(fù)載在所有條件下可承受的最大電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流，也要確保所選的MOS晶體管能...
