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結果: 找到相關主題 483 個
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寄生電容產生的原因,寄生電容怎么消除-KIA MOS管
勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，最終使擴散運動達到平衡）；www.enlve.com/article/detail/5574.html 2025-04-22
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pfc電源和開關電源的區別,原理詳解-KIA MOS管
在PFC開關電源當中，開關穩壓電源是非常重要的一個組成部分。PFC當中的開關穩壓電源功能和普通的開關穩壓電源的區別并不巨大，只是在供電上有所區別。普通的開關穩壓電源需要220V整流供電，而PFC穩壓開關電源是由B+PFC供電。www.enlve.com/article/detail/5575.html 2025-04-22
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逆變電源,2806場效應管,150a60v,KIA2806AM參數-KIA MOS管
KIA2806AM場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；100%雪崩測試，穩定可靠；提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準），優質環保；是切換應用程序、逆變器系統的電源管理、不間斷電源的理想選擇；...www.enlve.com/article/detail/5576.html 2025-04-22
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肖特基二極管和PN結二極管的區別詳解-KIA MOS管
SBD具有較低的正向導通電壓，一般為0.3V左右；而PN結硅二極管正向導通電壓為0.7V左右。肖特基二極管的正向導通電壓通常低于PN結二極管，這意味著在正向導通時，肖特基二極管的功耗更低。www.enlve.com/article/detail/5577.html 2025-04-22
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QFN和DFN封裝工藝介紹-KIA MOS管
QFN和DFN封裝工藝步驟：芯片切割：使用劃片機等設備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。芯片貼裝：將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。引腳連接：通過引腳焊盤將芯片的電路與基板的電路進行連接。www.enlve.com/article/detail/5578.html 2025-04-22
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鋰電池保護板mos,120a85v場效應管,KCB3008B參數資料-KIA MOS管
鋰電池保護板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（開）產品（FOM），高效穩定可靠；提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準），優...www.enlve.com/article/detail/5579.html 2025-04-22
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dcdc升壓電路原理,dcdc升壓電路圖-KIA MOS管
基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關器件（SW）、平滑電容（C）和負載電阻（Load），Vout 是輸出電壓。開關通常是功率電子器件，例如由 PWM 信號控制的 MOSFET或BJT 晶體管。該 PWM 信號通過非常快速地切換晶體管來工作，通常每秒數千次...www.enlve.com/article/detail/5580.html 2025-04-22
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全橋dcdc變換電路原理,原理圖-KIA MOS管
全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經過Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開關變換器，在高頻變壓器初級得到高頻交流方波電壓，經變壓器降壓，再全波整流變換成直流方波，最后通過電感L、電容C組成的濾波器，在R上得到平直的直流電壓。www.enlve.com/article/detail/5581.html 2025-04-22
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?同步整流mos管,85v120a,3008場效應管,KCY3008A參數-KIA MOS管
KCY3008A場效應管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（開）產品（FOM），高效穩定可靠；在電機驅動器和DC/DC轉換器、SR（同步整流）中能夠有效地轉換電...www.enlve.com/article/detail/5582.html 2025-04-22
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貼片電阻阻值查詢表,圖文分享-KIA MOS管
一般電阻：數值（AB）×10n=電阻值±誤差值（5%）精密電阻：數值（ABC）×10n=電阻值±誤差值（1%）www.enlve.com/article/detail/5583.html 2025-04-22
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串聯分壓公式,串聯電路分壓規律詳解-KIA MOS管
在串聯電路中，電流強度處處相等，由歐姆定律得I=U1/R1=U2/R2=U/R，即電壓跟電阻成正比，電阻越大，兩端電壓越高，且總電壓U=U1+U2，總電阻R=R1+R2。www.enlve.com/article/detail/5584.html 2025-04-22
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ups逆變器,9310場效應管,42a100v場效應管,KCD9310A-KIA MOS管
KCD9310A場效應管采用SGT MOSFET技術制造，漏源擊穿電壓100V，漏極電流42A；專有新型平面技術，提供優異的RDSON和柵極電荷；低導通電阻RDS(開啟) 15mΩ，超低柵極電荷20nC，最小化開關損耗，提高效率；快速恢復體二極管，高效穩定、性能優越；廣泛應用于UPS逆變...www.enlve.com/article/detail/5627.html 2025-04-22
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穩壓器電路圖原理圖,穩壓電源電路分享-KIA MOS管
從上圖中可以看出，補償變壓器低壓側的線圈串聯在穩壓器的主回路中，所以這種穩壓器輸出的能量主要是通過補償變壓器的低壓側線圈直接給輸出負載的，只要把補償變壓器的二次線圈的線徑做得足夠大，穩壓器的功率就可以做得很大。www.enlve.com/article/detail/5626.html 2025-04-22
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開關電源原理圖詳解,開關電源電路圖分享-KIA MOS管
開關電源的工作原理是通過開關管的開關動作，將輸入電壓切換為高頻脈沖信號。這個高頻脈沖信號經過變壓器或電感器的變換和濾波電路的處理，最終得到穩定的直流輸出電壓。www.enlve.com/article/detail/5625.html 2025-04-22