MOS管強反型與弱反型、速度飽和區(qū)轉換-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-08
弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U散電流。模型的表達式變?yōu)橹笖?shù)特性而不是平方律
弱反型區(qū)適合低功耗電路，因為電流很小，但問題在于較大的噪聲以及低速（用增益帶寬積表征）
關于如何計算轉換點
根據(jù)經驗結論，n約為1.2，kT/q為26mV，轉換點過驅動電壓約為70mV（工作在哪個區(qū)只與過驅動電壓有關，與溝道長度，寬長比均無關，因此在未來一段時間內的CMOS工藝都可以選擇這樣的過驅動電壓來確保MOS管工作在強反型區(qū)）
速度飽和區(qū)溝道電場很強，所有電子以最大速度運動，跨導gm與溝道長度無關且這是MOS管能達到的最大跨導。由于跨導不變，消耗的電流IDS卻在增加，一般不設計MOS管工作在這一區(qū)。
關于速度飽和區(qū)電流公式：
關于轉換點計算
轉換點隨著溝道長度的減小而減小（模擬電路設計中常用.13μm工藝是因為此時對應的轉換點電壓為0.62V，再縮短尺寸就不再確保MOS管工作在強反型區(qū)）
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