dc直流轉換器,320a40v,?1004mos管,KCT1004M參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-25
KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器件新技術，低導通電阻和低傳導損耗，性能優(yōu)越；極低導通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超低柵極電荷，降低驅動需求，最小化開關損耗；100%經過雪崩測試，可靠堅固，在DC直流轉換器、電機控制與驅動、電池管理中廣泛應用；封裝形式：TOLL-8，小體積、低封裝電阻，提高效率。
漏源電壓：40V
漏極電流：320A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1200A
單脈沖雪崩能量：564MJ
功率耗散：300W
閾值電壓：1.2-2.5V
總柵極電荷：160nC
輸入電容：9530PF
輸出電容：2050PF
開通延遲時間：24nS
關斷延遲時間：98nS
上升時間：15ns
下降時間：18ns
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