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pmos的開啟電壓,pmos管的導通條件-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-07-17 

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pmos的開啟電壓,pmos管的導通條件-KIA MOS管


pmos是低電壓開啟嗎?

pmos是低電壓開啟的,其導通條件是柵極電壓(Vgs)低于閾值電壓(通常為負值),即柵極相對于源極為負電壓時導通。

pmos的開啟電壓是多少?

pmos管的開通電壓為負值,通常在-5V至-10V范圍內。

pmos管開通條件在于柵源電壓(VGs)需滿足:

1.電壓差要求

當VGs為負值(即源極電壓Vs高于柵極電壓VG)時,pmos管導通。

具體閾值范圍通常為-5V至-10V,具體數值需參考器件數據手冊中的閾值電壓(VGs(th))。

2.應用場景限制

由于pmos的源極通常接高電位(如電源Vcc),而柵極需通過負壓控制以實現導通,這增加了設計的復雜性。

在高端驅動電路中,若漏極與源極電壓相同(如Vcc),則需確保柵極電壓低于源極約4V至10V。

3.參數影響

導通電阻(RDS(on))隨VGs絕對值的增加而降低,但需避免超過器件最大承受電壓。

寄生電容(如Cgd)可能影響開關速度,需通過外部電路優化(如添加驅動電阻或負壓電路)。

pmos,開啟電壓,導通條件

pmos管的導通條件

柵極電壓(Vgs)小于源極電壓(Vs),即:Vgs=Vg-Vs<VthVgs=Vg-Vs<Vth其中,VthVth是PMOS管的閾值電壓,通常是一個負值。

工作模式條件

根據PMOS管的工作模式,其導通條件可以進一步細分:

1.線性區(放大區)

條件:Vgs<Vth且Vds>Vgs-VthVgs<Vth且Vds>Vgs-Vth

在這個區域,PMOS管的漏極電流與漏源電壓(Vds)成線性關系,類似于一個可控電阻。

2.飽和區(工作區)

條件:Vgs<Vth且VdssVgs-VthVgs<Vth且VdssVgs-Vth

在這個區域,漏極電流基本不隨漏源電壓變化,主要由柵源電壓控制。

KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營:場效應管(MOS管)、COOL MOS(超結場效應管)、三端穩壓管、快恢復二極管;廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域;可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

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