逆變器應用mos,74120參數,1200v場效應管,KNK74120A參數-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-07-25
KNK74120A場效應管漏源擊穿電壓1200V,漏極電流23A,采用先進平面工藝制造,極低導通電阻RDS(ON)480mΩ(典型值),最大限度地降低導通電阻,低柵極電荷減少開關損耗;堅固的多晶硅柵極結構,具有高溫穩定性、出色的穩定性與耐久性,廣泛應用于BLDC電機驅動器、電動焊機、高效SMPS中;封裝形式:TO-264,大功率、高可靠性、優良的散熱性能。
漏源極電壓:1200V
漏極電流:23A
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:92A
雪崩能量單脈沖:1600MJ
最大功耗:585W
總柵極電荷:185nC
閾值電壓:2.5-4.5V
輸入電容:7350PF
輸出電容:556PF
反向傳輸電容:55PF
開通延遲時間:60nS
關斷延遲時間:64nS
上升時間:112ns
下降時間:100ns
聯系方式:鄒先生
座機:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯系地址:深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號:提供 MOS管 技術支持
免責聲明:網站部分圖文來源其它出處,如有侵權請聯系刪除。