KCX3250A參數

這種高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET是設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新型節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。專為高電壓、高速設計開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序，這些設備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。

特點

魯棒高壓端接

雪崩能量

源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管

二極管的特點是用于橋式電路。

高溫下指定的智能決策支持系統

隔離安裝孔減少安裝硬件

產品型號：KCX3250A

工作方式：100A.500V

漏電流連續：100A

柵源電壓（連續）：±20V

耗散功率：767W

漏源擊穿電壓：500V

柵極閾值電壓：2V

輸入電容：6180 PF

輸出電容：264 PF

上升時間：116 ns

封裝形式：TO-247

	KCX3250A（100A/500V）
產品編號	KCX3250A（N溝道MOSFET）
產品工藝	這種高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET是設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新型節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。
產品特征	魯棒高壓端接雪崩能量源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管二極管的特點是用于橋式電路。高溫下指定的智能決策支持系統隔離安裝孔減少安裝硬件
適用范圍	專為高電壓、高速設計開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序，這些設備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
封裝形式	TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網址	www.enlve.com
PDF總頁數	總5頁