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rc振蕩電路原理,rc正弦波振蕩電路圖-KIA MOS管
當電容器充電或放電時，電容器兩端的電壓會周期性地變化，這種周期性變化的電壓可以作為電信號的源泉。通過調整電阻和電容的數值，可以改變振蕩電路的振蕩頻率。www.enlve.com/article/detail/5730.html 2025-06-17
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電子負載mos管,30v90a,3303場效應管,KNY3303C-KIA MOS管
KNY3303C場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用先進的溝槽制造工藝，極低導通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ，減少導通損耗，高效低耗；低Crss、開關速度快，性能優越；100%經雪崩測試、改進的dv/dt能力，確保穩定性和可靠性；適用于PWM應用、負載開關、電源管理等...www.enlve.com/article/detail/5729.html 2025-06-16
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繼電器驅動電路,繼電器電路圖分享-KIA MOS管
繼電器串聯RC電路：這種形式主要應用于繼電器的額定工作電壓低于電源電壓的電路中。當電路閉合時，繼電器線圈由于自感現象會產生電動勢阻礙線圈中電流的增大，從而延長了吸合時間，串聯上 RC 電路后則可以縮短吸合時間。www.enlve.com/article/detail/5728.html 2025-06-16
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續流二極管的作用及原理詳解-KIA MOS管
續流二極管是一種配合電感性負載使用的二極管，當電感性負載的電流有突然的變化或減少時，電感二端會產生突波電壓，可能會破壞其他元件。配合續流二極管時，其電流可以較平緩的變化，避免突波電壓的發生。www.enlve.com/article/detail/5727.html 2025-06-16
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smps電源,4a1000v,KNF43100A場效應管參數手冊-KIA MOS管
KNF43100A場效應管漏源擊穿電壓1000V，漏極電流4A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2Ω，低柵極電荷最小化開關損耗，在承受高電壓和高電流方面表現出色?；低反向傳輸電容，?開關速度快，快速恢復體二極管，?高效率低損耗，符合RoHS標準?，穩定可靠；廣泛應用于適...www.enlve.com/article/detail/5726.html 2025-06-13
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電蚊拍充電電路圖,電路原理分析-KIA MOS管
P1為充電模塊，外接USB電源給電池充電同時也可以對電蚊拍供電，USB和電池各串一個二極管向后級供電，避免電壓倒灌，哪邊電壓高，另一邊的二極管就會截止。但是使用電池時，D2會因為其壓降差生一定的損耗，減小待機時間，一般是換成一個PMOS管，柵極接到USB，這...www.enlve.com/article/detail/5725.html 2025-06-13
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電蚊拍電路圖,原理圖詳解-KIA MOS管
當開啟電源開關后，內置的高頻振蕩器（由三極管和變壓器共同組成）開始運作，將直流電轉化為高頻交流電，并經過升壓處理。隨后，通過二極管和電容器進行倍壓整流，進一步提升電壓，最終輸送到蚊拍的金屬網格上。www.enlve.com/article/detail/5724.html 2025-06-13
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音響功放mos管,60a250v場效應管,KNH3625A參數資料-KIA MOS管
KNH3625A場效應管漏源擊穿電壓250V，漏極電流60A，采用專有新型平面技術，?極低導通電阻RDS(開啟) 45mΩ，低柵極電荷最小化開關損耗，性能優越；快速恢復體二極管、開關速度快，高效低耗、穩定可靠；廣泛應用于DC-DC轉換器、UPS DC-AC逆變器、開關電源和電機控...www.enlve.com/article/detail/5723.html 2025-06-12
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手機快充原理詳解及電路圖分享-KIA MOS管
以常見方案為例，高壓低電流（如高通QC）：通過提升電壓縮短充電時間。低壓大電流（如OPPO VOOC）：直接輸送更大電流，減少發熱。關鍵點：快充全程由手機內置的 電源管理芯片（PMIC） 智能調控，實時監測電池溫度、電壓和電量。當電量接近80%時，快充會自動切換...www.enlve.com/article/detail/5722.html 2025-06-12
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手機充電器電路,手機充電電路原理分析-KIA MOS管
手機充電器的輸入端通過四個整流二極管構建成一個整流橋，通常現代手機充電器會采用MB10S這類貼片整流橋，而較少使用1N4007整流橋。經過整流橋的整流和高壓電容C1的濾波，220V的交流電被轉換為高壓直流電，為后續的高頻振蕩電路提供電源。www.enlve.com/article/detail/5721.html 2025-06-12