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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 577 個(gè)
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負(fù)載開(kāi)關(guān)電路,MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān),電路原理圖-KIA MOS管
如圖所示，負(fù)載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個(gè)邏輯高電平，則N-MOSFET導(dǎo)通，負(fù)載得電；在其柵極加一個(gè)邏輯低電平，則N-MOSFET關(guān)斷，負(fù)載失電。www.enlve.com/article/detail/5632.html 2025-04-24
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自激電路原理,MOS管自激電路圖詳解-KIA MOS管
當(dāng)開(kāi)關(guān)S1閉合時(shí)，繼電器的線圈通電，電源+V經(jīng)過(guò)電感L1，向N1 N2（變壓器）的中抽頭進(jìn)行供電，此外，電流還會(huì)C1和R2（電阻）流向N3、N4的中抽頭。www.enlve.com/article/detail/5631.html 2025-04-24
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負(fù)載開(kāi)關(guān)mos開(kāi)關(guān),40v130a場(chǎng)效應(yīng)管,KNB2904A參數(shù)-KIA MOS管
KNB2904A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)性能優(yōu)越，具有優(yōu)異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導(dǎo)、快速切換，高效低耗；100%雪崩測(cè)試以及改進(jìn)的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，適用于PWM應(yīng)用、...www.enlve.com/article/detail/5630.html 2025-04-23
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自激式開(kāi)關(guān)電源電路,單管自激電路圖分享-KIA MOS管
接通電源后，220V市電電壓經(jīng)VD503～VD506整流、C507濾波，在濾波電容C507兩端得到近300V直流電壓，通過(guò)開(kāi)關(guān)變壓器T511的3-7繞組加到開(kāi)關(guān)管VT513的集電極。www.enlve.com/article/detail/5629.html 2025-04-23
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三級(jí)放大器,三級(jí)放大電路原理圖-KIA MOS管
通過(guò)級(jí)聯(lián)多個(gè)放大器，每個(gè)放大器的增益都比前一個(gè)放大器大，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大。每個(gè)放大器的輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)濾波和校正后，再輸入到下一個(gè)放大器進(jìn)行放大。最后，經(jīng)過(guò)輸出級(jí)的放大，信號(hào)達(dá)到所需的輸出幅度。www.enlve.com/article/detail/5628.html 2025-04-23
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?MOS管,場(chǎng)效應(yīng)管是什么控制型器件？-KIA MOS管
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，通過(guò)柵源電壓（VGS）來(lái)控制漏極電流（ID），具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、快速開(kāi)關(guān)速度和大電壓/電流能力等特點(diǎn)。www.enlve.com/article/detail/5521.html 2025-04-22
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?mos管三個(gè)引腳gsd,mos管gsd區(qū)分-KIA MOS管
許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識(shí)，標(biāo)明了各個(gè)電極的名稱(chēng)；在電路圖中，MOS管的電極通常會(huì)用特定的符號(hào)表示，G極通常用一個(gè)圓圈表示，S極用一個(gè)小圓圈表示，D極則用一個(gè)小圓點(diǎn)表示；www.enlve.com/article/detail/5523.html 2025-04-22
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28n50mos,28a500v場(chǎng)效應(yīng)管,TO-3P,KIA28N50HH參數(shù)-KIA MOS管
KIA28N50HH場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進(jìn)的dv/dt能力，實(shí)現(xiàn)快速切換；經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試、符合RoHS，穩(wěn)定可靠；良好的開(kāi)關(guān)特性，能夠承受較大...www.enlve.com/article/detail/5525.html 2025-04-22
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2803mos管,2803場(chǎng)效應(yīng)管,30v150a,KNY2803A參數(shù)-KIA MOS管
KNY2803A場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、改進(jìn)的dv/dt能力、快速切換、100%雪崩測(cè)試和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值，高效穩(wěn)定；無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)?？煽?；...www.enlve.com/article/detail/5531.html 2025-04-22
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30v150a場(chǎng)效應(yīng)管,2803mos管,TO-220,KNP2803S參數(shù)規(guī)格書(shū)-KIA MOS管
KNP2803S場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、?改進(jìn)的dv/dt能力、快速切換、100%雪崩測(cè)試和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值，高效穩(wěn)定；無(wú)鉛，符合R...www.enlve.com/article/detail/5534.html 2025-04-22
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PCPD電源,3403mos管,80a30v場(chǎng)效應(yīng)管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
KND3403C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，性能優(yōu)越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換能力和改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測(cè)試，確保穩(wěn)定性和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)工具、BMS、PD電源、...www.enlve.com/article/detail/5546.html 2025-04-22
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bms mos管,80a40v場(chǎng)效應(yīng)管,KNY3404D參數(shù)規(guī)格書(shū)-KIA MOS管
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提升效率；具有開(kāi)關(guān)速度快，內(nèi)阻低，耐沖擊特性好的特點(diǎn)；?低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測(cè)試，穩(wěn)定可...www.enlve.com/article/detail/5549.html 2025-04-22
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供電mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP場(chǎng)效應(yīng)管-KIA MOS管
電機(jī)控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，高效穩(wěn)定；無(wú)鉛和綠色設(shè)備，環(huán)?？煽?；廣泛應(yīng)用于UPS、電源管理、電池管理系統(tǒng)等；封裝...www.enlve.com/article/detail/5561.html 2025-04-22
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電源切換,2908mos管,130a80v場(chǎng)效應(yīng)管,KNH2908D參數(shù)-KIA MOS管
KNH2908D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)定；無(wú)鉛和綠色設(shè)備，環(huán)保可靠；廣泛應(yīng)用于電源切換應(yīng)用程序、硬交換和高頻電路、不間斷電源等；...www.enlve.com/article/detail/5564.html 2025-04-22