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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 630 個
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mos管pwm,3303場效應(yīng)管,KNG3303C參數(shù)資料-KIA MOS管
KNG3303C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.6mΩ，減少導(dǎo)通損耗、提高效率；低Crss、開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；100%經(jīng)雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，確保穩(wěn)定性和可靠性；適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等多種應(yīng)用場景；封裝形式：...www.enlve.com/article/detail/5717.html 2025-06-10
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應(yīng)急電源電路圖,應(yīng)急電源mos管應(yīng)用-KIA MOS管
R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關(guān)MOS管并接，使開關(guān)管電壓應(yīng)力減少，EMI減少，不發(fā)生二次擊穿。在開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器的原邊線圈易產(chǎn)生尖峰電壓和尖峰電流，這些元件組合一起，能很好地吸收尖峰電壓和電流。www.enlve.com/article/detail/5716.html 2025-06-10
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固態(tài)繼電器原理圖,電路圖分享-KIA MOS管
在輸入控制回路中，電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發(fā)光管進(jìn)行限流保護(hù)，發(fā)光管LED對輸入控制信號給予指示，VD1對輸入端的反偏電壓進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)控制端無信號輸入時，IC1光電耦合器中的光敏三極管呈截止高阻狀態(tài)，V1通過R2獲得其基極電流使之飽和導(dǎo)通，從而...www.enlve.com/article/detail/5715.html 2025-06-10
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充電器mos管,130a150v,KCP2915B場效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
KCP2915B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT、溝槽MOS技術(shù)設(shè)計，高效率低損耗；極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 7.3mΩ，低柵極電荷，可最大限度地減少導(dǎo)電損失；具有100% EAS保證，堅(jiān)固可靠、綠色設(shè)備可用、優(yōu)質(zhì)環(huán)保；廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、LED應(yīng)用、...www.enlve.com/article/detail/5714.html 2025-06-09
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電機(jī)控制器的工作原理,組成結(jié)構(gòu)詳解-KIA MOS管
輸入信號處理：電機(jī)控制器接收來自外部的控制信號，如模擬信號、數(shù)字信號等。這些信號經(jīng)過處理后，用于控制電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。微處理器控制：微處理器是電機(jī)控制器的核心部件，負(fù)責(zé)處理輸入信號，生成控制指令，并通過通信接口與其他系統(tǒng)進(jìn)行交互。www.enlve.com/article/detail/5713.html 2025-06-09
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mosfet負(fù)溫度系數(shù)特性,正/負(fù)溫度系數(shù)-KIA MOS管
MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負(fù)溫度系數(shù)，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會降低。這是因?yàn)闇囟壬邥?dǎo)致半導(dǎo)體材料中的載流子濃度增加，使得溝道中的載流子更容易被柵極電場吸引，從而降低了閾值電壓的值。www.enlve.com/article/detail/5712.html 2025-06-09
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10065碳化硅,10a650v碳化硅,10065碳化硅二極管參數(shù)-KIA MOS管
SSP10065A碳化硅二極管10a/650v參數(shù)，具有更高的過電壓安全裕度、提高了所有負(fù)載條件下的效率、與硅二極管替代品相比提高了效率、降低散熱器要求、無熱失控的并聯(lián)器件、基本無開關(guān)損耗；在效率、耐壓性、熱性能及可靠性等方面具有顯著優(yōu)勢?，主要包括更高的開...www.enlve.com/article/detail/5711.html 2025-06-06
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汽車LED透鏡mos管應(yīng)用方案及選型-KIA MOS管
采用Buck電路作為開關(guān)電路完成高效電能轉(zhuǎn)換時，用線性電路抑制電路紋波，得到有源紋波補(bǔ)償Buck電路，實(shí)現(xiàn)可靠性高、壽命長的LED驅(qū)動。www.enlve.com/article/detail/5710.html 2025-06-06
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光伏匯流箱結(jié)構(gòu)、原理圖詳解-KIA MOS管
光伏交流匯流箱由直流輸入、DC/AC逆變器、交流輸出和保護(hù)等組成。直流輸入部分連接光伏板的正負(fù)極，將光伏板產(chǎn)生的直流電能輸入到交流匯流箱中。www.enlve.com/article/detail/5709.html 2025-06-06
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同步整流場效應(yīng)管,130a85vmos管,KCD2908A參數(shù)手冊-KIA MOS管
KCD2908A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)設(shè)計，極低導(dǎo)通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，高效低耗；具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，性能穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動、SR...www.enlve.com/article/detail/5708.html 2025-06-05
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LED照明電路圖,原理圖分享-KIA MOS管
NPN 晶體管 2N3055 用于打開第 I 組藍(lán)色 LED，而 PNP 晶體管 2N2905 用于打開第 II 組紅色 LED。當(dāng)基極施加超過 0.7V 的正 V 且電流進(jìn)入基極時，NPN 晶體管導(dǎo)通。但對于 PNP 晶體管，只有當(dāng)基極連接到負(fù)極或接地并且電流離開此處時，它才會導(dǎo)通。www.enlve.com/article/detail/5707.html 2025-06-05
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無線充電電路圖,無線充電原理-KIA MOS管
無線充電的實(shí)現(xiàn)通常需要兩個線圈，一個是置于充電平臺中的發(fā)射線圈，另一個是置于電子設(shè)備內(nèi)的接收線圈。當(dāng)一個變化的電流通過充電平臺的發(fā)射線圈時，線圈內(nèi)會產(chǎn)生一個變化的磁場。在電子設(shè)備靠近充電平臺后，接收線圈會產(chǎn)生感應(yīng)電流，并且通過電路系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為直...www.enlve.com/article/detail/5706.html 2025-06-05
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電源轉(zhuǎn)換器專用,400vmos管,KNP6140S場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
大功率場效應(yīng)管KNP6140S漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計；極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，高效低耗；具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，性能穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)...www.enlve.com/article/detail/5705.html 2025-06-04
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mmbt5401參數(shù),引腳圖,mmbt5401資料手冊-KIA MOS管
MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設(shè)計為通用放大器和開關(guān)，用于需要高電壓的應(yīng)用。采用SOT-23封裝，專為低功耗表面貼裝應(yīng)用而設(shè)計。www.enlve.com/article/detail/5704.html 2025-06-04