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廣東可易亞半導體科技有限公司

結果: 找到相關主題 630 個

  • 數字電位器原理,電路圖分享-KIA MOS管

    當按下其中一個鍵(用力按下S1,輕輕按下S2)時,IC2d的輸出會改變狀態,從而使時鐘發生器和IC1(通過IC2b)使能。然后,電容C1通過R1和R2充電,直到IC2a的輸入電平變為低電平,此時連接到IC1時鐘輸入的柵極輸出改變狀態(從低到高)。

    www.enlve.com/article/detail/5703.html         2025-06-04

  • 充電樁mosfet,1000v場效應管,KNF45100A參數引腳圖-KIA MOS管

    KNF45100A場效應管漏源擊穿電壓1000V,漏極電流6A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ,最大限度地減少導電損耗;低電荷最小化開關損耗,低反向傳輸電容,開關速度快,高效低耗;快速恢復體二極管、符合RoHS、高堅固性,穩定可靠;適用于備用電源,充電樁、適配器等...

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    www.enlve.com/article/detail/5702.html         2025-05-29

  • 占空比計算公式,pwm占空比詳解-KIA MOS管

    脈沖高電平持續時間(Ton):是脈沖信號處于高電平狀態的時間。脈沖周期(T):是脈沖信號從開始到重復出現所需的時間長度(即:高電平時間+低電平時間)。

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    www.enlve.com/article/detail/5701.html         2025-05-29

  • 充放電模塊電路原理圖,作用詳解-KIA MOS管

    當外部電源接入模塊輸入端時,充電管理IC將輸出一定的電流和電壓來給電池充電。同時,通過內部的電路保護功能,監測電池電壓、溫度、充電狀態等參數,保證充電的安全、快速、準確和穩定。

    www.enlve.com/article/detail/5700.html         2025-05-29

  • 電源管理mos管,60v150a,2706場效應管,KNB2706A參數-KIA MOS管

    KNB2706A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流150A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.8mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;快速開關切換,高效低耗;高堅固性、100%經雪崩測試、改進的dv/dt能力,穩定可靠;適用于PWM應用、負載開關、電源管理等多種應用;封裝形式...

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    www.enlve.com/article/detail/5699.html         2025-05-28

  • 繼電器和mos管開關選擇,區別應用-KIA MOS管

    MOS管:電壓/電流承載能力弱,但耗能低,開關速度快,壽命長,12V/48V低壓輔助電池的 BMS。繼電器:開關速度慢,壽命短,但電壓/電流承載能力強,適用于400V/800V BMS。

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    www.enlve.com/article/detail/5698.html         2025-05-28

  • 充電mos管,mos管雙向充電電路原理圖-KIA MOS管

    正向充電:當控制輸出為高電平時,Q1的柵源電壓Vgs大于閾值電壓Vth,Q1導通。此時,A點電位降低,B點電壓為VIN減去二極管導通電壓,Q2的柵源電壓Vgs小于閾值電壓Vth,Q2不導通。因此,電流從VIN經過Q1流向VOUT。

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    www.enlve.com/article/detail/5697.html         2025-05-28

  • pwm專用mos管,3903mos管,30v85a,KND3903A參數-KIA MOS管

    pwm專用mos管KND3903A漏源擊穿電壓30V,漏極電流85A,極低導通電阻RDS(開啟) 3.6mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;低Crrs、快速切換,高效低耗;100%經雪崩測試、提升dv/dt性能,穩定可靠;適用于PWM應用、負載開關、電源管理等多種應用;封裝形式:TO-...

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    www.enlve.com/article/detail/5696.html         2025-05-27

  • 隔離變壓器,變壓器的工作原理,原理圖-KIA MOS管

    隔離變壓器是指輸入端和輸出端電氣上完全隔離的變壓器,它的隔離是隔離電氣的意思。原理是利用變壓器的電磁感應原理,通過磁場耦合將輸入端和輸出端的電路隔離開來。因它的次級不和大地相連,沒有電位差,起到了隔離的作用,是一種安全電源。

    www.enlve.com/article/detail/5695.html         2025-05-27

  • dfn,MOS管DFN8封裝圖,封裝尺寸-KIA MOS管

    DFN封裝是一種無引腳的封裝形式,采用雙邊或方形扁平無鉛封裝,僅兩側有焊盤。DFN8表示焊盤數是8個,典型主體尺寸長度通常介于2-7mm,焊盤間距通常為0.5-0.95mm,特點是靈活性高,常用于集成電路芯片的封裝。

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    www.enlve.com/article/detail/5694.html         2025-05-27

  • 充電器mos管,4406場效應管,?12a30vmos管,KNE6303A參數-KIA MOS管

    充電器mos管?KNE6303A漏源擊穿電壓30V,漏極電流12A,先進的溝槽加工技術,超低導通電阻的高密度電池設計,??導通電阻RDS(開啟) 8mΩ,高效低耗;改進的dv/dt能力、?完全表征的雪崩電壓和電流,穩定可靠;100% EAS保證、綠色設備,環保可靠;適用于充電器、...

    www.enlve.com/article/detail/5693.html         2025-05-26

  • 有刷控制器原理,電動車控制器接線圖-KIA MOS管

    (1)頻率低,約150Hz,因而續流二極管采用了普通整流橋;(2)沒有欠壓和過流保護;(3)采用了簡單的門電路作三角波發生器;(4)采用5只大功率VDMOS并聯,并且采用了簡單均衡電路;

    www.enlve.com/article/detail/5692.html         2025-05-26

  • 電動自行車控制器,有刷控制器原理詳解-KIA MOS管

    穩壓電源 由V3(TL431),Q3等元件組成,從36V蓄電池經過串聯穩壓后得到+12V電壓,給控制電路供電,調節VR6可校準+12V電源。

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    www.enlve.com/article/detail/5691.html         2025-05-26

  • 直流電機控制pmos,-100v pmos,KPD6610B場效應管參數-KIA MOS管

    KPD6610B場效應管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-15A,低導通電阻RDS(開啟) 170mΩ;具有低噪聲?,提高信號的保真度??、高閾值電壓?,抗干擾能力強?、低功耗?,高效穩定;100% EAS保證、綠色設備,環保可靠;適用于電源管理、直流電機控制等多種應用場景;...

    www.enlve.com/article/detail/5690.html         2025-05-23

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