-
KIA08TB70DD是一款制造先進的快恢復二極管,具有超快的25納秒恢復時間、175°C工作接點溫度、環氧樹脂符合UL 94 V一0@0.125英寸、低正向電壓、低泄漏電流、高溫玻璃鈍化結、反向電壓至700V、提供無鉛包裝,運行高效穩定可靠;廣泛應用于工業風機、大功率吸...
www.enlve.com/article/detail/5436.html 2025-01-09
-
VT1和VT2構成多諧振蕩器,振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時,為使頻率不變,振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓,直接推動VMOS大功率管,經變壓器升壓后的220V交流電從插座CZ引出。
www.enlve.com/article/detail/5435.html 2025-01-09
-
在圖2中,用一個P溝道MOSFET代替圖1中的二極管VD2。切換到電池時,MOSFET導通,電池向負載供電。接入交流適配器時,MOSFET的柵極電壓高于其源極電壓,處于關斷狀態,從而切斷了電池與負載的連接。
www.enlve.com/article/detail/5434.html 2025-01-09
-
VIN引腳作為電池充電的輸入電源,其工作電壓范圍為5V至18V。CS引腳是TP5100的充電功能使能引腳。通過控制其邏輯電平,工程師可以調整鋰電池的充電電壓。通常,該引腳會接入外部開關或MCU單片機。當CS=1時,充電電壓為4V,即啟動雙節鋰電池充電功能。
www.enlve.com/article/detail/5432.html 2025-01-08
-
在PN結中,由于自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動,PN結中間的部位(P區和N區交界面)會產生一個很薄的電荷區,這就是空間電荷區。
www.enlve.com/article/detail/5431.html 2025-01-08
-
KNY3303A場效應管采用先進的平面條形DMOS技術生產,漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,低導通電阻RDS(on)=3.1mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗,提供卓越的開關性能;改進的dv/dt能力、快速切換、綠色設備可用,穩定可靠;適用于高效開關電源、功率因數校正...
www.enlve.com/article/detail/5430.html 2025-01-07
-
與門(AND gate)?:符號為“∧”或“&”,真值表顯示只有當所有輸入為1時,輸出才為1。?或門(OR gate)?:符號為“∨”或“|”,真值表顯示只要有一個輸入為1,輸出就為1。?非門(NOT gate)?:符號為“¬”或“~”,真值表顯示輸出與輸入相反。
www.enlve.com/article/detail/5429.html 2025-01-07
-
圖1是正激式變壓器開關電源的簡單工作原理圖,圖1中Ui是開關電源的輸入電壓,T是開關變壓器,K是控制開關,L是儲能濾波電感,C是儲能濾波電容,D2是續流二極管,D3是削反峰二極管,R是負載電阻。
www.enlve.com/article/detail/5428.html 2025-01-07
-
KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流70A,低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗;在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖、100%雪崩測試、符合RoHS標準,?穩定可靠;適用于逆變器系統的電源管理、?鋰電池保護板、切換應用程序,高...
www.enlve.com/article/detail/5427.html 2025-01-06
-
A類放大電路的工作原理是將輸入信號加到晶體管的基極或柵極上,通過晶體管的非線性特性將信號放大。在放大過程中,晶體管的集電極電流隨輸入信號的變化而變化,從而在集電極和發射極之間產生電壓變化,實現信號放大。
www.enlve.com/article/detail/5426.html 2025-01-06
-
當導體兩端電壓一定時,流過導體電流與導體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關系公式為:I=U/R,其中I為電流,U為電壓,R為電阻。由上述公式可知,當電壓一定時,電流越大,電阻越小,反之電流越小,電阻越大。
www.enlve.com/article/detail/5425.html 2025-01-06
-
3n150場效應管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,導通電阻RDS(on)=5.5Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導電損耗,減少開關損耗;具有高開關頻率、低驅動電流,高可靠性,適用于高速轉換、高速開關應用場景?,在變頻器電源和逆變器、適配器、充電...
www.enlve.com/article/detail/5424.html 2025-01-03
-
下圖為反相器的結構示意圖,由一個PMOS和一個NMOS拼接而成;當v=1時,T1截止,T2導通,vo=0;當v=0時,T1導通,T2截止,vo=1;
www.enlve.com/article/detail/5423.html 2025-01-03
-
當PWM為1時,Q1實現導通,C端的電壓為低,接著Q2的B端電壓也為低,Q2導通;這時Q2的E端電壓為14V,經過Q2、D2、R4以后MOS管G端大概為12V,Q管(MOS)導通。在這里我們可以得知,自舉電源的電壓需要比MOS管驅動電壓高約2V。
www.enlve.com/article/detail/5422.html 2025-01-03