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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 577 個
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高速光耦與普通光耦的區(qū)別,對比-KIA MOS管
高速光耦和普通光耦都是利用光電轉(zhuǎn)換的原理將輸入和輸出之間的電氣信號進行隔離。它們都由發(fā)光二極管（LED）和光敏電阻（Photodiode）組成，通過發(fā)光二極管發(fā)出的光信號來驅(qū)動光敏電阻，實現(xiàn)光信號到電信號的轉(zhuǎn)換。www.enlve.com/article/detail/5484.html 2025-02-11
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保護板mos,to-252 150a30v,KND2803S場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
鋰電池保護板專用MOS管KND2803S漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟)2.1mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，開關(guān)速度快、內(nèi)阻低、耐沖擊特性好，堅固可靠；適用于PWM應(yīng)用...www.enlve.com/article/detail/5483.html 2025-02-10
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場效應(yīng)管的靜電擊穿,mos管靜電擊穿原因-KIA MOS管
MOS管的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。www.enlve.com/article/detail/5482.html 2025-02-10
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電工電路圖,接線圖,電工必備經(jīng)典電路-KIA MOS管
合上電源開關(guān)Q，按下正向起動按鈕SB2,接觸器KM1的線圈通電并吸合，其主觸點閉合，常開輔助觸點閉合自鎖，電動機M正向旋轉(zhuǎn)。同時KM1的常閉輔助觸點斷開，避免接觸器KM2通電。這時電動機所接電源的相序為A-B-C。www.enlve.com/article/detail/5481.html 2025-02-10
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7a100v mos,SOT-89,5610場效應(yīng)管,?KNS5610A參數(shù)資料-KIA MOS管
KNS5610A場效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性，RDS（ON）=98mΩ，低柵極電荷，減小開關(guān)損耗；出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計，穩(wěn)定可靠，符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求；適用于通信設(shè)備、變換器、DC-DC、負(fù)載開關(guān)等，封裝...www.enlve.com/article/detail/5456.html 2025-02-08
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pwm mos管,150a30v,KNY2803S場效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
KNY2803S場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力等特性，開關(guān)速度快、內(nèi)阻低、耐沖擊特性好，堅固可靠；適用于PWM應(yīng)用程序、電源管...www.enlve.com/article/detail/5480.html 2025-02-08
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?功率因數(shù)校正mos管,PFC電路mos管選型-KIA MOS管
在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過選擇正確的器件，PFC效率能夠得到大幅提升。為PFC電路選擇合適MOSFET器件的一種方法是使用針對特定應(yīng)用的品質(zhì)因數(shù) （FOM），來最小化器件的總損耗。www.enlve.com/article/detail/5479.html 2025-02-08
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功率因數(shù)校正電路的原理、作用-KIA MOS管
在開關(guān)電源的整流電路和濾波電容之間增加一個DC－DC的斬波電路，如圖所示（斬波電路等于附加一個開關(guān)電源）。對于供電線路來說，該整流電路輸出沒有直接接濾波電容，所以其對于供電線路來說呈現(xiàn)的是純阻性的負(fù)載，其電壓和電流波形同相、相位相同。www.enlve.com/article/detail/5478.html 2025-02-08
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3404場效應(yīng)管,3404mos管,?80a40v,KND3404D參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
KND3404D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽工藝技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低Crss、快速切換，高效穩(wěn)定；100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，堅固可靠；熱銷于PWM應(yīng)用程序、電源管理、負(fù)載開關(guān)，封裝形式...www.enlve.com/article/detail/5477.html 2025-02-07
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pnp和npn開關(guān)電路圖，原理，區(qū)別詳解-KIA MOS管
NPN三極管由兩個N型半導(dǎo)體和一個P型半導(dǎo)體組成，而PNP三極管則是由兩個P型半導(dǎo)體和一個N型半導(dǎo)體構(gòu)成。NPN三極管：當(dāng)在基極（B）和發(fā)射極（E）之間施加正向電壓，并在集電極（C）和發(fā)射極（E）之間施加反向電壓時，NPN三極管會導(dǎo)通。此時，電流從集電極流入，通...www.enlve.com/article/detail/5476.html 2025-02-07
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pnp三級管開關(guān)電路,pnp三級管開關(guān)工作原理-KIA MOS管
當(dāng)控制信號施加在基極上時，PNP三極管進入導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)射極與集電極之間的電阻變得非常小，電流可以順暢流動。而當(dāng)控制信號消失時，PNP三極管回到截止?fàn)顟B(tài)，電流不再流過三極管。www.enlve.com/article/detail/5475.html 2025-02-07
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5n50場效應(yīng)管參數(shù),5A 500V MOS,?KIA5N50SD中文資料-KIA MOS管
KIA5N50SD場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻，RDS（ON）為1.38Ω，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；具有堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復(fù)時間可與分立快速恢復(fù)二極管相媲美、二極管的特點是用于橋式電路、高溫下規(guī)定的IDSS和VDS（on...www.enlve.com/article/detail/5474.html 2025-02-07
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串聯(lián)分壓原理,公式,串聯(lián)電路分壓規(guī)律-KIA MOS管
在串聯(lián)電路中，電流強度處處相等，由歐姆定律得I=U1/R1=U2/R2=U/R，即電壓跟電阻成正比，電阻越大，兩端電壓越高，且總電壓U=U1+U2，總電阻R=R1+R2。www.enlve.com/article/detail/5473.html 2025-02-06
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橋式整流電路,三相橋式整流電路圖-KIA MOS管
電源的性質(zhì)，即單相或三相電源決定了這些整流電路。單相橋式整流電路由四個二極管組成，用于將交流轉(zhuǎn)換為直流，而三相整流器使用六個二極管，如圖所示。根據(jù)二極管、晶閘管等電路元件的不同，這些整流電路也可以是不受控或受控的整流電路。www.enlve.com/article/detail/5472.html 2025-02-06