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結(jié)果: 找到相關(guān)主題 577 個
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led mos,130a150v場效應(yīng)管,KNP2915A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
LED電源專用MOS管KNP2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10mΩ；卓越的低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，穩(wěn)定可靠；適用于電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS（不間斷電源...www.enlve.com/article/detail/5498.html 2025-02-17
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mos管選型注重的參數(shù),mos管主要參數(shù)-KIA MOS管
確定電路中可能出現(xiàn)的最大電壓。MOS管的VDSS應(yīng)大于電路中的最大電壓，一般要留出一定的余量，通常為電路最大電壓的1.5倍至 2倍，以確保在任何情況下MOS管都不會被擊穿。www.enlve.com/article/detail/5497.html 2025-02-17
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mosfet和igbt的優(yōu)缺點,mosfet和igbt區(qū)別-KIA MOS管
MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。www.enlve.com/article/detail/5496.html 2025-02-17
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?3.5a30v,SOT-23,2306場效應(yīng)管,KIA2306mos管參數(shù)-KIA MOS管
2306場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設(shè)計，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟)，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；?2306mos管具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、低漏電流、良好的溫度穩(wěn)定性；非常適合應(yīng)用于LED感應(yīng)燈、玩具、藍(lán)牙音箱等；小型封裝：S...www.enlve.com/article/detail/5495.html 2025-02-14
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場效應(yīng)管逆變器,場效應(yīng)管制作逆變器電路圖-KIA MOS管
VT1和VT2構(gòu)成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當(dāng)電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩(wěn)壓管VD1穩(wěn)壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經(jīng)變壓器升壓后的220V交流電從插座CZ引出。www.enlve.com/article/detail/5494.html 2025-02-14
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模擬開關(guān)電路分享,經(jīng)典模擬電路圖-KIA MOS管
當(dāng)u2是正半周期時，二極管Vd1和Vd2導(dǎo)通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負(fù)載RL是的電流是自上而下流過負(fù)載，負(fù)載上得到了與u 2正半周期相同的電壓；在u 2的負(fù)半周，u 2的實際極性是下正上負(fù)，二極管Vd3和Vd4導(dǎo)通而Vd1和Vd2截止，負(fù)載RL上的電流仍是自上而下流過負(fù)載，...www.enlve.com/article/detail/5493.html 2025-02-14
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80a80vmos管,3308參數(shù)引腳圖,KND3308A場效應(yīng)管-KIA MOS管
KND3308A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運行，確保電路的安全可靠性；采用無鉛和綠色設(shè)計，符合環(huán)保要求，廣泛應(yīng)用在電動車控制器、逆變器、BMS保...www.enlve.com/article/detail/5492.html 2025-02-13
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開關(guān)變壓器損耗,開關(guān)變壓器損耗計算-KIA MOS管
銅損主要是由于變壓器線圈的電阻引起的，包括直流電阻損耗和集膚效應(yīng)電阻損耗。直流電阻損耗由繞組導(dǎo)線的電阻與流過的電流有效值的平方?jīng)Q定，而集膚效應(yīng)是由于在強交流電磁場作用下，導(dǎo)線中心的電流被“面向”表面流動，導(dǎo)致電阻增加。www.enlve.com/article/detail/5491.html 2025-02-13
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電阻和電容并聯(lián)阻抗怎么計算?計算公式詳解-KIA MOS管
電阻和電容并聯(lián)阻抗計算Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²]其中：R 為電阻值XL 為電感的感抗，其公式為 XL = 2πfL，其中 f 為交流電頻率，L 為電感值XC 為電容的容抗，其公式為 XC = 1/(2πfC)，其中 C 為電容值www.enlve.com/article/detail/5490.html 2025-02-13
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2300mos,2300場效應(yīng)管20v6a,sot-23,KIA2300參數(shù)-KIA MOS管
KIA2300場效應(yīng)管漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ，極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、、優(yōu)越的開關(guān)性能、可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；應(yīng)用于LED感應(yīng)燈、玩具、藍(lán)牙音箱，高效率低損耗；封裝形式：SOT-23。www.enlve.com/article/detail/5489.html 2025-02-12
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電容儲能公式，電容儲能原理詳解-KIA MOS管
通過在電極上儲存電荷來儲存電能。當(dāng)電容器兩端施加電壓時，正極板吸引電子使其帶上負(fù)電荷，而負(fù)極板則因失去電子而帶上正電荷。這樣，兩個極板之間形成了電場，電荷被儲存在電場中。www.enlve.com/article/detail/5488.html 2025-02-12
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?n溝道m(xù)os管原理，nmos工作條件詳解-KIA MOS管
當(dāng)漏源電壓（VDS）連接在漏極和源極之間時，正電壓施加到漏極，負(fù)電壓施加到源極。在這里，漏極的Pn結(jié)是反向偏置的，而源極的Pn結(jié)是正向偏置的。在這個階段，漏極和源極之間不會有任何電流流動。www.enlve.com/article/detail/5487.html 2025-02-12
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開關(guān)電源mos,8a700v場效應(yīng)管,KIA08TB70DP參數(shù)-KIA MOS管
快恢復(fù)/高效率二極管KIA08TB70DP是一款開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短的快恢復(fù)二極管，具有超快的25納秒恢復(fù)時間、175°C工作接點溫度、低正向電壓、低泄漏電流、高溫玻璃鈍化結(jié)、反向電壓至700V；穩(wěn)定可靠，減少損耗提高效率；環(huán)氧樹脂符合UL 94V-0@0.125英寸...www.enlve.com/article/detail/5486.html 2025-02-11
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場效應(yīng)管n溝道和p溝道的區(qū)別詳解-KIA MOS管
N溝道MOS管和P溝道MOS管的工作原理都是通過柵極電壓來控制溝道的導(dǎo)電性，但是，它們在實現(xiàn)這一控制時，兩者的具體結(jié)構(gòu)差異導(dǎo)致了不同的導(dǎo)電行為。比如N溝道MOS管在柵極電壓為正時導(dǎo)通（因為正電壓吸引電子到溝道），而P溝道MOS管則是在柵極電壓為負(fù)時導(dǎo)通（因為...www.enlve.com/article/detail/5485.html 2025-02-11