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結果: 找到相關主題 577 個
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小電壓控制大電壓開關電路圖分享-KIA MOS管
當IO是高電平時，三極管Q1導通，GNDQ信號傳遞到MOS管Q3的G極，此時Vgs=-20V，MOS管導通。當IO是低電平時，三極管Q1關閉，20V信號傳遞到MOS管QQ3的G極，此時Vgs=OV，MOS管關閉。www.enlve.com/article/detail/5530.html 2025-03-04
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pnp和npn開關電路,經典開關電路分享-KIA MOS管
對于NPN來說，使UbeUon,三極管導通，（基極電位高于射級點位一定值的時候導通）其中一般Ue接地，則只需控制Ub,使Ub>Uon即可使之導通；www.enlve.com/article/detail/5529.html 2025-03-04
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熱阻單位,K/W 和℃/W,熱阻單位換算-KIA MOS管
熱阻的符號為Rth和θ。單位是℃/W（K/W）。熱阻是一個物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強弱。熱導率越好的物體，其熱阻通常越低。www.enlve.com/article/detail/5527.html 2025-03-03
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sod123封裝尺寸與1206,sod123和323的區別-KIA MOS管
SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應二極管SOD-123封裝。sod323長度比sod123短1.0毫米，寬度短0.3毫米，高度短0.1毫米。www.enlve.com/article/detail/5526.html 2025-03-03
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怎么判斷晶體管的引腳?晶體管三個管腳-KIA MOS管
使用兩個萬用表，一個測量基極與發射極之間的電阻值，一個測量基極與集電極之間的電阻值，通過判斷電阻值的變化來確定管腳的正負極性以及集電極、基極、發射極的連接情況。www.enlve.com/article/detail/5524.html 2025-02-28
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大功率電源切換,11A 350V,KIA6035AD場效應管參數-KIA MOS管
KIA6035AD場效應管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進的平面條紋DMOS技術，最大限度地減少導通電阻，導通電阻RDS(開啟) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和換向模式下承受高能脈沖，低柵極電荷、高堅固性、指定的雪崩能量和改進的dv/dt能力，實現快速...www.enlve.com/article/detail/5522.html 2025-02-27
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低通濾波電路詳解，rc低通濾波電路圖-KIA MOS管
低通濾波電路可使低頻信號較少損失地傳輸到輸出端，使高頻信號得到有效抑制。低通濾波(Low-pass filter) 是一種過濾方式，規則為低頻信號能正常通過，而超過設定臨界值的高頻信號則被阻隔、減弱。www.enlve.com/article/detail/5520.html 2025-02-27
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5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY場效應管參數,原廠現貨-KIA MOS管
KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導電損耗，高效低耗?；堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復時間可與分立快速恢復二極管相媲美，低電荷、低反向傳輸電容，?開關速度快；?...www.enlve.com/article/detail/5519.html 2025-02-26
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電阻率的單位,電阻率的單位換算詳解-KIA MOS管
導體的電阻R跟它的長度L、電阻率ρ成正比，跟它的橫截面積S成反比，這個規律就叫電阻定律(law of resistance)，公式為R=ρL/S 。其中ρ為制成電阻的材料的電阻率，L為繞制成電阻的導線長度，S為繞制成電阻的導線橫截面積，R為電阻值。www.enlve.com/article/detail/5518.html 2025-02-26
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MOS管反向擊穿電壓,二極管反向電壓抑制-KIA MOS管
添加反向并聯二極管：在MOS管的源極和漏極之間，加入一個反向并聯二極管，可以巧妙地抑制二極管反向電壓。當漏極電壓為負值時，這個二極管會導通，從而將漏極電壓限制在反向擊穿電壓以下，保護MOS管免受損害。www.enlve.com/article/detail/5517.html 2025-02-26
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電機控制器mos,80a40v mos,KNG3404D場效應管-KIA MOS管
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術，具有良好的穩定性及抗沖擊能力；極低導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；具有低Crss、改進的dv/dt能力，實現快速切換；經過100%雪崩測試，堅固...www.enlve.com/article/detail/5516.html 2025-02-25
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電工公式大全,常用的電工公式分享-KIA MOS管
歐姆定律：R=U/I電阻（R）等于電壓（U）除以電流（I），這是電工學的基石。電功率公式電流在單位時間內做的功叫做電功率。是用來表示消耗電能的快慢的物理量，用P表示，它的單位是瓦特（Watt），簡稱"瓦"，符號是W。www.enlve.com/article/detail/5515.html 2025-02-25
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dip封裝和sop封裝尺寸,區別,封裝圖-KIA MOS管
尺寸和空間占用：SOP封裝比DIP封裝更小，占用的空間更少，更適合現代電子設備的小型化趨勢。引腳數量和排列：SOP封裝可以容納更多的引腳，并且引腳排列更緊湊，而DIP封裝的引腳數量較少，排列較為分散。www.enlve.com/article/detail/5514.html 2025-02-25
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bms專用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S場效應管參數-KIA MOS管
KNB2803S場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；具有低Crss、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力、開關速度快；確保應用系統的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?適用于逆變器、BM...www.enlve.com/article/detail/5513.html 2025-02-24