|
|
|
結果: 找到相關主題 577 個
-
mos管靜電擊穿原因,mos管防靜電措施-KIA MOS管
絕緣層薄，承受高電壓的能力差。高輸入阻抗使其對電壓變化敏感。靜電放電會在短時間內施加過高的電壓，導致絕緣層擊穿。www.enlve.com/article/detail/5512.html 2025-02-24
-
光耦關鍵參數,光耦主要參數有哪些？-KIA MOS管
反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。www.enlve.com/article/detail/5511.html 2025-02-24
-
30V100A MOS管,3203場效應管,KND3203B參數資料-KIA MOS管
KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術，極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；優秀的QgxRDS（on）產品性能，符合JEDEC標準，開關速度快、內阻低，穩定可靠；適用于開關電源、家電控制板...www.enlve.com/article/detail/5510.html 2025-02-21
-
混合集成電路定義,混合集成電路包括哪些？-KIA MOS管
混合集成電路是一種將不同技術制造的電子元件(如半導體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實現功能電路。混合集成電路在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線，并在同一基片上將分立的半導體芯片、單片集...www.enlve.com/article/detail/5509.html 2025-02-21
-
mos管米勒平臺形成原因,米勒平臺改善-KIA MOS管
當MOSFET從截止區經過放大區轉到可變電阻區時，對應其開通過程（反之為關斷過程）。在放大區內，由于米勒效應，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充電的過程導致了米勒平臺。www.enlve.com/article/detail/5508.html 2025-02-21
-
2908mos管,2908場效應管,80v130a,KNH2908B參數資料-KIA MOS管
KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（ON）的高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；低柵極電荷、完全表征雪崩電壓和電流、穩定性和均勻性好，EAS高；性能優越，確保應用高效穩定，適...www.enlve.com/article/detail/5507.html 2025-02-20
-
pmos電流方向,pmos工作區分析-KIA MOS管
當PMOS工作時，電流從S極（源極）流向D極（漏極），由于PMOS以空穴為主要載流子，電流的實際方向與電子流動方向相反。漏極通常接較低的電位（例如接地或負電源），使得電流可以從源極流向漏極。www.enlve.com/article/detail/5506.html 2025-02-20
-
pfc電路圖及其原理,典型PFC電路-KIA MOS管
PFC電路是對輸入電流的波形進行控制，使其與輸入電壓波形同步，提高功率因數，減少諧波含量，是能夠解決因容性負載導致電流波形嚴重畸變而產生的電磁干擾(EMl)和電磁兼容(EMC)問題。功率因數是指有功功率與視在功率（總耗電量）的比值。當功率因數越大，電力利...www.enlve.com/article/detail/5505.html 2025-02-20
-
3404mos管,3404場效應管,80a40v,KND3404C參數資料-KIA MOS管
KND3404C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進的高單元密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；具有出色的RDSON和柵極電荷，高效率低損耗；以及出色的Cdv/dt效應下降、符合RoHs和綠色產品要求、100%EAS保證，穩定可...www.enlve.com/article/detail/5504.html 2025-02-19
-
mos管的工作原理淺顯易懂,圖文分享-KIA MOS管
當柵-源電壓VGS=O時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結處于反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道（沒有電流流過），所以這時漏極電流ID=0。www.enlve.com/article/detail/5503.html 2025-02-19
-
電流磁效應是什么,電流磁效應和電磁感應的區別-KIA MOS管
?電流的磁效應?：只需要導線中有電流通過，就會產生磁場。磁場的方向與電流的方向有關，可以通過安培定則（右手螺旋定則）來判斷。?電磁感應?：產生電磁感應現象的條件有兩點，缺一不可：一是電路必須是閉合的；二是穿過閉合電路的磁通量必須發生變化。www.enlve.com/article/detail/5502.html 2025-02-19
-
68v80a控制器,3306場效應管,KNB3306B參數引腳圖-KIA MOS管
鋰電池保護板專用MOS管KNB3306B漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，低導通電阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；3306場效應管開關速度快、耐沖擊特性好、高雪崩電流，高效穩定；無鉛綠色設備，環保可靠，在無刷電機、逆變器、控制器...www.enlve.com/article/detail/5501.html 2025-02-18
-
gidl效應,柵極誘導漏極泄露電流原因及解決-KIA MOS管
在亞閾值區，當漏端電壓較大時，靠近柵極的漏端處會形成一個小的耗盡區。在此區域內，電場作用下會產生陷阱輔助的載流子，從而引發柵誘導的漏極泄露電流。當電場足夠大時，甚至可以直接發生帶間隧穿（T-BTBT）。www.enlve.com/article/detail/5500.html 2025-02-18
-
防反接保護電路,防反接電路原理圖分享-KIA MOS管
當輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應增加D7穩壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。當電源正確接入時。電流的流向是從Vin到負載，在通過NMOS到GND。剛上電時因為NMOS管的體二極管存在，地回路通過體二極管接通，后續因為Vgs大于VGS門限電壓，MOS管導通。www.enlve.com/article/detail/5499.html 2025-02-18