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gidl效應,柵極誘導漏極泄露電流原因及解決-KIA MOS管
在亞閾值區，當漏端電壓較大時，靠近柵極的漏端處會形成一個小的耗盡區。在此區域內，電場作用下會產生陷阱輔助的載流子，從而引發柵誘導的漏極泄露電流。當電場足夠大時，甚至可以直接發生帶間隧穿（T-BTBT）。www.enlve.com/article/detail/5500.html 2025-02-18
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防反接保護電路,防反接電路原理圖分享-KIA MOS管
當輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應增加D7穩壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。當電源正確接入時。電流的流向是從Vin到負載，在通過NMOS到GND。剛上電時因為NMOS管的體二極管存在，地回路通過體二極管接通，后續因為Vgs大于VGS門限電壓，MOS管導通。www.enlve.com/article/detail/5499.html 2025-02-18
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mos管選型注重的參數,mos管主要參數-KIA MOS管
確定電路中可能出現的最大電壓。MOS管的VDSS應大于電路中的最大電壓，一般要留出一定的余量，通常為電路最大電壓的1.5倍至 2倍，以確保在任何情況下MOS管都不會被擊穿。www.enlve.com/article/detail/5497.html 2025-02-17
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mosfet和igbt的優缺點,mosfet和igbt區別-KIA MOS管
MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。www.enlve.com/article/detail/5496.html 2025-02-17
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?3.5a30v,SOT-23,2306場效應管,KIA2306mos管參數-KIA MOS管
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設計，極低的導通電阻RDS(開啟)，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；?2306mos管具有低導通電阻、高開關速度、低漏電流、良好的溫度穩定性；非常適合應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱等；小型封裝：S...www.enlve.com/article/detail/5495.html 2025-02-14
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場效應管逆變器,場效應管制作逆變器電路圖-KIA MOS管
VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經變壓器升壓后的220V交流電從插座CZ引出。www.enlve.com/article/detail/5494.html 2025-02-14
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模擬開關電路分享,經典模擬電路圖-KIA MOS管
當u2是正半周期時，二極管Vd1和Vd2導通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負載RL是的電流是自上而下流過負載，負載上得到了與u 2正半周期相同的電壓；在u 2的負半周，u 2的實際極性是下正上負，二極管Vd3和Vd4導通而Vd1和Vd2截止，負載RL上的電流仍是自上而下流過負載，...www.enlve.com/article/detail/5493.html 2025-02-14
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80a80vmos管,3308參數引腳圖,KND3308A場效應管-KIA MOS管
KND3308A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導電損耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩定運行，確保電路的安全可靠性；采用無鉛和綠色設計，符合環保要求，廣泛應用在電動車控制器、逆變器、BMS保...www.enlve.com/article/detail/5492.html 2025-02-13
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開關變壓器損耗,開關變壓器損耗計算-KIA MOS管
銅損主要是由于變壓器線圈的電阻引起的，包括直流電阻損耗和集膚效應電阻損耗。直流電阻損耗由繞組導線的電阻與流過的電流有效值的平方決定，而集膚效應是由于在強交流電磁場作用下，導線中心的電流被“面向”表面流動，導致電阻增加。www.enlve.com/article/detail/5491.html 2025-02-13
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電阻和電容并聯阻抗怎么計算?計算公式詳解-KIA MOS管
電阻和電容并聯阻抗計算Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²]其中：R 為電阻值XL 為電感的感抗，其公式為 XL = 2πfL，其中 f 為交流電頻率，L 為電感值XC 為電容的容抗，其公式為 XC = 1/(2πfC)，其中 C 為電容值www.enlve.com/article/detail/5490.html 2025-02-13
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2300mos,2300場效應管20v6a,sot-23,KIA2300參數-KIA MOS管
KIA2300場效應管漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ，極低RDS（on）的高密度單元設計、、優越的開關性能、可最大限度地減少導通損耗，無鉛產品、堅固可靠；應用于LED感應燈、玩具、藍牙音箱，高效率低損耗；封裝形式：SOT-23。www.enlve.com/article/detail/5489.html 2025-02-12
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電容儲能公式，電容儲能原理詳解-KIA MOS管
通過在電極上儲存電荷來儲存電能。當電容器兩端施加電壓時，正極板吸引電子使其帶上負電荷，而負極板則因失去電子而帶上正電荷。這樣，兩個極板之間形成了電場，電荷被儲存在電場中。www.enlve.com/article/detail/5488.html 2025-02-12
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?n溝道mos管原理，nmos工作條件詳解-KIA MOS管
當漏源電壓（VDS）連接在漏極和源極之間時，正電壓施加到漏極，負電壓施加到源極。在這里，漏極的Pn結是反向偏置的，而源極的Pn結是正向偏置的。在這個階段，漏極和源極之間不會有任何電流流動。www.enlve.com/article/detail/5487.html 2025-02-12
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開關電源mos,8a700v場效應管,KIA08TB70DP參數-KIA MOS管
快恢復/高效率二極管KIA08TB70DP是一款開關特性好、反向恢復時間短的快恢復二極管，具有超快的25納秒恢復時間、175°C工作接點溫度、低正向電壓、低泄漏電流、高溫玻璃鈍化結、反向電壓至700V；穩定可靠，減少損耗提高效率；環氧樹脂符合UL 94V-0@0.125英寸...www.enlve.com/article/detail/5486.html 2025-02-11