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廣東可易亞半導體科技有限公司

結果: 找到相關主題 43 個

  • KIA30TB20

    KIA30TB20

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    www.enlve.com/product/detail/230.html         2025-07-22

  • KIA30TB60

    KIA30TB60

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    www.enlve.com/product/detail/231.html         2025-07-22

  • SSP08065A

    SSP08065A

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    www.enlve.com/product/detail/313.html         2025-07-22

  • 7n80場效應管代換,7a800v,?KIA7N80HF參數(shù)現(xiàn)貨-KIA MOS管

    7n80場效應管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平面條狀DMOS技術制造，?RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，低柵極電荷27nC，最大限度降低導通電阻、提供卓越的開關性能；?具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，性能...

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    www.enlve.com/article/detail/5804.html         2025-07-21

  • lcr數(shù)字電橋原理,工作原理圖分享-KIA MOS管

    LCR數(shù)字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結合相敏檢波與數(shù)字信號處理技術，運用矢量形式的歐姆定律計算阻抗參數(shù)。lcr數(shù)字電橋可以精確測量電子元件的電感（L）、電容（C)、電阻（R）和阻抗（Z）參數(shù)，并支持品質因數(shù)（Q)、損耗因數(shù)（D）等衍...

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    www.enlve.com/article/detail/5803.html         2025-07-21

  • 紋波電流是什么,紋波電流計算-KIA MOS管

    紋波電流指在直流電源中，由于整流器和濾波器的不完美，使得直流電流中存在周期性的波動。這種波動通常表現(xiàn)為交流成分，但其頻率和幅度通常較低。

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    www.enlve.com/article/detail/5802.html         2025-07-21

  • -100a-40v pmos,3204場效應管,KPD3204B參數(shù)資料-KIA MOS管

    KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進的高單元密度溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關損耗，高效率低損耗；100%EAS保證、dV/dt效應顯著下降，穩(wěn)定可靠，綠色設備可用，性能優(yōu)越；封裝形式：TO...

    www.enlve.com/article/detail/5798.html         2025-07-18

  • dcdc變換器mos管,80v160a場效應管,KNB2708A參數(shù)-KIA MOS管

    KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，?超低柵極電荷，減少開關損耗提高效率；快速恢復體二極管、反向恢復時間短，性能優(yōu)越，穩(wěn)定可靠；廣泛應用于高效D...

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    www.enlve.com/article/detail/5801.html         2025-07-18

  • 勢壘電容是什么,勢壘電容和擴散電容-KIA MOS管

    在半導體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層的寬度有關，而耗盡層寬度又取決于外加電壓。所以勢壘電容應該是一個可變電容，其容值隨反向電壓...

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    www.enlve.com/article/detail/5800.html         2025-07-18

  • 二極管正負極判斷,二極管的作用原理-KIA MOS管

    普通二極管（如整流二極管）：負極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標記。正極（陽極，A） 沒有標記。

    www.enlve.com/article/detail/5799.html         2025-07-18

  • crss是什么電容,反向傳輸電容Crss詳解-KIA MOS管

    反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導開關期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開關時間并增加損耗；

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    www.enlve.com/article/detail/5797.html         2025-07-17

  • pmos的開啟電壓,pmos管的導通條件-KIA MOS管

    pmos是低電壓開啟的，其導通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負值），即柵極相對于源極為負電壓時導通。pmos管的開通電壓為負值，通常在-5V至-10V范圍內。

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    www.enlve.com/article/detail/5796.html         2025-07-17

  • ups逆變器,190a40v,2404場效應管,KNY2404A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

    KCY2408A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，采用專有新型溝槽工藝制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷減少開關損耗，高效穩(wěn)定；快速恢復體二極管、反向恢復時間短，高頻性能優(yōu)異?；廣泛應用于高效DCDC轉換器、同步...

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    www.enlve.com/article/detail/5795.html         2025-07-16

  • 變頻電源原理,變頻器結構原理分享-KIA MOS管

    變頻電源是由整個電路構成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流、中間直流環(huán)節(jié)和逆變等過程，將輸入的交流電轉換為頻率和電壓可調的交流電，從而實現(xiàn)對電機轉速和轉矩的精確控制。

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    www.enlve.com/article/detail/5794.html         2025-07-16

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