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廣東可易亞半導體科技有限公司

結果: 找到相關主題 642 個

  • dcdc變換器,130a200v,2920場效應管,?KCP2920A參數-KIA MOS管

    KCP2920A場效應管采用SGT MOSFET工藝,??漏源擊穿電壓200V,漏極電流130A;新型溝槽技術,低導通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ(典型值)@VGS=10V,低柵極電荷,最小化開關損耗、?提高效率;快速恢復體二極管,?開關特性好、反向恢復時間短,穩定可靠,廣泛應用于高...

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    www.enlve.com/article/detail/5639.html         2025-04-27

  • dcdc變換器工作原理,雙向dcdc電路-KIA MOS管

    通過改變MOS管的開斷,可以改變輸出電流的方向,合理運用輸入輸出端口,既可以實現降壓功能,也可以實現升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。

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    www.enlve.com/article/detail/5638.html         2025-04-27

  • 整流器和逆變器的區別,作用詳解-KIA MOS管

    逆變器:通過控制開關器件(如IGBT、MOSFET)的通斷,生成脈寬調制(PWM)波形,合成所需頻率和幅值的交流電。其電路復雜度通常高于整流器。

    www.enlve.com/article/detail/5637.html         2025-04-27

  • bms mos,40v130a參數 低內阻,KND2904A場效應管-KIA MOS管

    bms專用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V,漏極電流130A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,減小損耗、提高效率;低跨導、快速切換,高效低耗;100%雪崩測試以及改進的dv/dt能力,穩定可靠,廣泛用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域,封裝形...

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    www.enlve.com/article/detail/5636.html         2025-04-25

  • 雙電源電路原理圖,可調雙電源電路分享-KIA MOS管

    為了確保無閂鎖操作,電路會自動感測器件中的最負電壓,并確保N溝道開關源極-基板結不存在正向偏置。振蕩器頻率的標稱頻率為10kHz(VCC=5V),但可以通過向振蕩器(OSC)端子添加外部電容器來降低該頻率,或者通過使用外部時鐘過驅動OSC來提高該頻率。

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    www.enlve.com/article/detail/5635.html         2025-04-25

  • 雙mos管電路,負載開關電路-KIA MOS管

    為了實現兩個電流方向的阻斷,必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖,在這種情況下,如果不是兩個FET都打開,那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這種方法允許創建兩種反向驅動保護負載開關的替代拓撲,背靠背連接漏極或源極,稱為共漏極或共源極...

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    www.enlve.com/article/detail/5634.html         2025-04-25

  • bms電池管理,230a60v,KNP1906A場效應管參數-KIA MOS管

    KNP1906A場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流230A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ,最大限度地減少導電損耗,提高效率;具有高輸入阻抗、低功耗、開關速度快、高雪崩電流,性能穩定可靠、環保無鉛;廣泛應用于UPS、電源、電池管理系統等;封裝形式:TO-220。

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    www.enlve.com/article/detail/5633.html         2025-04-24

  • 負載開關電路,MOSFET負載開關,電路原理圖-KIA MOS管

    如圖所示,負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平,則N-MOSFET導通,負載得電;在其柵極加一個邏輯低電平,則N-MOSFET關斷,負載失電。

    www.enlve.com/article/detail/5632.html         2025-04-24

  • 自激電路原理,MOS管自激電路圖詳解-KIA MOS管

    當開關S1閉合時,繼電器的線圈通電,電源+V經過電感L1,向N1 N2(變壓器)的中抽頭進行供電,此外,電流還會C1和R2(電阻)流向N3、N4的中抽頭。

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    www.enlve.com/article/detail/5631.html         2025-04-24

  • 負載開關mos開關,40v130a場效應管,KNB2904A參數-KIA MOS管

    KNB2904A場效應管參數性能優越,具有優異的RDSON和柵極電荷;漏源擊穿電壓40V,漏極電流130A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,減小損耗、提高效率;低跨導、快速切換,高效低耗;100%雪崩測試以及改進的dv/dt能力,穩定可靠,適用于PWM應用、...

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    www.enlve.com/article/detail/5630.html         2025-04-23

  • 自激式開關電源電路,單管自激電路圖分享-KIA MOS管

    接通電源后,220V市電電壓經VD503~VD506整流、C507濾波,在濾波電容C507兩端得到近300V直流電壓,通過開關變壓器T511的3-7繞組加到開關管VT513的集電極。

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    www.enlve.com/article/detail/5629.html         2025-04-23

  • 三級放大器,三級放大電路原理圖-KIA MOS管

    通過級聯多個放大器,每個放大器的增益都比前一個放大器大,從而實現對輸入信號的放大。每個放大器的輸出信號經過濾波和校正后,再輸入到下一個放大器進行放大。最后,經過輸出級的放大,信號達到所需的輸出幅度。

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    www.enlve.com/article/detail/5628.html         2025-04-23

  • ?MOS管,場效應管是什么控制型器件?-KIA MOS管

    場效應管是一種電壓控制型器件,通過柵源電壓(VGS)來控制漏極電流(ID),具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、快速開關速度和大電壓/電流能力等特點。

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    www.enlve.com/article/detail/5521.html         2025-04-22

  • ?mos管三個引腳gsd,mos管gsd區分-KIA MOS管

    許多MOS管在管殼表面上有標記或標識,標明了各個電極的名稱;在電路圖中,MOS管的電極通常會用特定的符號表示,G極通常用一個圓圈表示,S極用一個小圓圈表示,D極則用一個小圓點表示;

    www.enlve.com/article/detail/5523.html         2025-04-22

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