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結果: 找到相關主題 642 個
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28n50mos,28a500v場效應管,TO-3P,KIA28N50HH參數-KIA MOS管
KIA28N50HH場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導通電阻RDS(開啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進的dv/dt能力，實現快速切換；經過100%雪崩測試、符合RoHS，穩定可靠；良好的開關特性，能夠承受較大...www.enlve.com/article/detail/5525.html 2025-04-22
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2803mos管,2803場效應管,30v150a,KNY2803A參數-KIA MOS管
KNY2803A場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導通損耗；低柵極電荷、改進的dv/dt能力、快速切換、100%雪崩測試和改進的重復雪崩額定值，高效穩定；無鉛，符合RoHS標準，環保可靠；...www.enlve.com/article/detail/5531.html 2025-04-22
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30v150a場效應管,2803mos管,TO-220,KNP2803S參數規格書-KIA MOS管
KNP2803S場效應管漏源電壓30V，漏極電流150A，采用先進的溝槽加工技術，實現極低的導通電阻RDS(開啟) 2.0mΩ，最大限度地減少導通損耗；低柵極電荷、低反向傳輸電容、?改進的dv/dt能力、快速切換、100%雪崩測試和改進的重復雪崩額定值，高效穩定；無鉛，符合R...www.enlve.com/article/detail/5534.html 2025-04-22
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PCPD電源,3403mos管,80a30v場效應管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
KND3403C場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導通電阻，性能優越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換能力和改進的dv/dt能力、100%雪崩測試，確保穩定性和可靠性，廣泛應用于電動工具、BMS、PD電源、...www.enlve.com/article/detail/5546.html 2025-04-22
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bms mos管,80a40v場效應管,KNY3404D參數規格書-KIA MOS管
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，提升效率；具有開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好的特點；?低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進的dv/dt能力、100%雪崩測試，穩定可...www.enlve.com/article/detail/5549.html 2025-04-22
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供電mos管,50n06,50a60v,KIA50N06BP場效應管-KIA MOS管
電機控制器mos管KNG3404D漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導電損耗、高雪崩電流，高效穩定；無鉛和綠色設備，環保可靠；廣泛應用于UPS、電源管理、電池管理系統等；封裝...www.enlve.com/article/detail/5561.html 2025-04-22
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電源切換,2908mos管,130a80v場效應管,KNH2908D參數-KIA MOS管
KNH2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流以減少導電損耗、高雪崩電流，性能優越，高效穩定；無鉛和綠色設備，環保可靠；廣泛應用于電源切換應用程序、硬交換和高頻電路、不間斷電源等；...www.enlve.com/article/detail/5564.html 2025-04-22
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寄生電容產生的原因,寄生電容怎么消除-KIA MOS管
勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，最終使擴散運動達到平衡）；www.enlve.com/article/detail/5574.html 2025-04-22
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pfc電源和開關電源的區別,原理詳解-KIA MOS管
在PFC開關電源當中，開關穩壓電源是非常重要的一個組成部分。PFC當中的開關穩壓電源功能和普通的開關穩壓電源的區別并不巨大，只是在供電上有所區別。普通的開關穩壓電源需要220V整流供電，而PFC穩壓開關電源是由B+PFC供電。www.enlve.com/article/detail/5575.html 2025-04-22
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逆變電源,2806場效應管,150a60v,KIA2806AM參數-KIA MOS管
KIA2806AM場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；100%雪崩測試，穩定可靠；提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準），優質環保；是切換應用程序、逆變器系統的電源管理、不間斷電源的理想選擇；...www.enlve.com/article/detail/5576.html 2025-04-22
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肖特基二極管和PN結二極管的區別詳解-KIA MOS管
SBD具有較低的正向導通電壓，一般為0.3V左右；而PN結硅二極管正向導通電壓為0.7V左右。肖特基二極管的正向導通電壓通常低于PN結二極管，這意味著在正向導通時，肖特基二極管的功耗更低。www.enlve.com/article/detail/5577.html 2025-04-22
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QFN和DFN封裝工藝介紹-KIA MOS管
QFN和DFN封裝工藝步驟：芯片切割：使用劃片機等設備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。芯片貼裝：將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。引腳連接：通過引腳焊盤將芯片的電路與基板的電路進行連接。www.enlve.com/article/detail/5578.html 2025-04-22
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鋰電池保護板mos,120a85v場效應管,KCB3008B參數資料-KIA MOS管
鋰電池保護板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進的SGT技術，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導通損耗，提高效率；優秀的柵極電荷xRDS（開）產品（FOM），高效穩定可靠；提供無鉛和綠色設備（符合RoHS標準），優...www.enlve.com/article/detail/5579.html 2025-04-22
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dcdc升壓電路原理,dcdc升壓電路圖-KIA MOS管
基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關器件（SW）、平滑電容（C）和負載電阻（Load），Vout 是輸出電壓。開關通常是功率電子器件，例如由 PWM 信號控制的 MOSFET或BJT 晶體管。該 PWM 信號通過非常快速地切換晶體管來工作，通常每秒數千次...www.enlve.com/article/detail/5580.html 2025-04-22