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60n06場效應管替代型號KIA2806AP漏源擊穿電壓60V,漏極電流150A,極低導通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ,最大限度地減少導通損耗;100%雪崩測試,穩定可靠;提供無鉛和綠色設備(符合RoHS標準),優質環保;廣泛應用于電動車控制器、移動電源、逆變器等,極大提升設備...
www.enlve.com/article/detail/5585.html 2025-04-14
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當需要高輸出功率時,必須施加高偏置,即高輸入電壓。該電路使用35V雙電源(+35V、GND、-35V),選擇36-0-36伏交流、2A降壓變壓器和功率二極管將交流整流為直流。使用強大的直流濾波器,最好利用線性穩壓器來調節直流電源。
www.enlve.com/article/detail/5586.html 2025-04-14
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全波整流電路,可以看作是由兩個半波整流電路組合成的。變壓器次級線圈中間需要引出一個抽頭,把次組線圈分成兩個對稱的繞組,從而引出大小相等但極性相反的兩個電壓e2a 、e2b ,構成e2a 、D1、Rfz與e2b 、D2 、Rfz ,兩個通電回路。
www.enlve.com/article/detail/5587.html 2025-04-14
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1404場效應管代換型號KNP2404A漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A,極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ,最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗,高效率低損耗;高雪崩電流,提供無鉛和綠色設備,確保性能穩定可靠;廣泛應用于電源、DC-DC轉換器等領域;封裝形式:TO-...
www.enlve.com/article/detail/5588.html 2025-04-14
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電路由AH805升壓模塊及FP106升壓模塊組成。AH805是一種輸入1.2~3V,輸出5V的升壓模塊,在3V供電時可輸出 100mA電流。FP106是貼片式升壓模塊,輸入4~6V,輸出固定電壓為29±1V,輸出電流可達40mA,AH805及FP106都是一個電平控制的關閉電源控制端。
www.enlve.com/article/detail/5589.html 2025-04-14
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在主回路中,串聯一個二極管,是利用二極管的單向導電的特性,實現了最簡單可靠的低成本防反接功能電路。
www.enlve.com/article/detail/5590.html 2025-04-14
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KNE4603A2是高單元密度溝槽雙N溝道MOSFET,漏源擊穿電壓30V,漏極電流7A;低導通電阻RDS(開啟) 16mΩ,超低柵極電荷,為大多數同步降壓轉換器應用提供優異的RDSON和柵極電荷,減少損耗、提高效率;Cdv/dt效應下降效果極佳,符合RoHs、綠色環保;封裝形式:SOP-...
www.enlve.com/article/detail/5618.html 2025-04-14
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電動車控制器通過PWM脈寬調制來調整輸出電壓的大小,從而控制電機的轉速。在控制器滿足鎖線電壓和主回路電壓供給整車后,會進行一個開機自檢的過程,檢查霍爾、相線、手把、剎車等周邊組件是否正常。
www.enlve.com/article/detail/5617.html 2025-04-14
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雙向電平轉換電路的核心組件是?NMOS?和?上拉電阻?。雙向電平轉換電路通過NMOS的導通與截止實現不同電壓域信號的雙向傳輸,利用寄生二極管和上拉電阻完成電平匹配?。
www.enlve.com/article/detail/5616.html 2025-04-14
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KIA3510AP場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流75A,極低導通電阻RDS(開啟) 9mΩ,最大限度地減少開關損耗,提高效率;100%單脈沖雪崩能量測試,高效穩定可靠;符合RoHS,綠色環保;適用于切換應用程序、逆變器系統的電源管理,封裝形式:TO-220,散熱良好。
www.enlve.com/article/detail/5615.html 2025-04-11
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Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽極壓降降低、電流增大→光耦初級電流增大→光耦次級電流增大→FB腳電壓升高→電源管理芯片降低MOS管的占空比→Vo輸出電壓減小。反之亦然,如此保障輸出電壓平穩。
www.enlve.com/article/detail/5614.html 2025-04-11
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由兩個555構成兩個時鐘電路,由模十六計數器和組合邏輯門構成四種碼產生電路,由雙D觸發器和數據選擇器構成開關電路,由移位寄存器和八個彩燈構成輸出電路,一個時鐘控制模十六計數器和移位寄存器,另一個時鐘控制雙D觸發器。
www.enlve.com/article/detail/5613.html 2025-04-11
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KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5A,低導通電阻RDS(on)=40mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗;-5V邏輯電平控制、符合RoHS,高效穩定可靠;適用于負載開關、開關電路、高速線路驅動器、電源管理功能,封裝形式:SOP-8,散熱良好、安裝方...
www.enlve.com/article/detail/5612.html 2025-04-10
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N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底,然后在襯底上制作兩個高濃度的N +區作為源極和漏極。隨后,在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵極。而P溝道MOS管則是以一個摻入了少量負離子的N型半導體做為襯底,在襯底上制作兩個P+區作為源...
www.enlve.com/article/detail/5611.html 2025-04-10